在使用TI的TS3A27518EPWR芯片作为FLASH烧程序信号复用芯片时,出现了板子芯片无法烧录的情况,测量27518两端QSPI时钟频率一致,波形无明显变化,将27518芯片拆掉并进行飞线后可以对FLASH芯片进行烧录,证明PCBA布线设计没问题。更换多批次芯片全都无法烧录。μ A
我们现在只能锁定问题出在27518这里,但是一直无法确定问题的原因。μ A



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在使用TI的TS3A27518EPWR芯片作为FLASH烧程序信号复用芯片时,出现了板子芯片无法烧录的情况,测量27518两端QSPI时钟频率一致,波形无明显变化,将27518芯片拆掉并进行飞线后可以对FLASH芯片进行烧录,证明PCBA布线设计没问题。更换多批次芯片全都无法烧录。μ A
我们现在只能锁定问题出在27518这里,但是一直无法确定问题的原因。μ A



您好、Zelin、
您能否在没有 TS3A27518-Q1 (运行中的场景)的情况下显示波形。 我想检查没有多路复用器的电路板版本之间是否有变化、以帮助进一步诊断问题。
原理图中没有任何不正确的地方、由于它在没有多路复用器的情况下工作、我假设您正确、系统端接正常、但多路复用器可能会对信号造成一些不必要的影响、并具有基线将会很有帮助。
如果您可以在没有多路复用器的情况下附加示波器屏幕截图、以便我可以更深入地为您深入地探讨这一点、我们将不胜感激!
最棒的
Parker Dodson
您好、Zelin、
为了确保我不会误解您共享的数据-电压摆幅是否超过1.8V? 您能否确认 TS3A 是否已断电1.8V? 如果是这种情况、多路复用器可能会受到损坏、并且可能无法正常工作-但我不知道我是否只是读取了数据。
但是、根据示波器截图、我看到的唯一区别是系统的一些高频分量被滤除、以及一些小衰减。 您能不能分享您使用的闪存 IC -我也想了解这个组件、看看这个小衰减是否会导致问题。
请-
您能否验证通过开关运行的信号的最大和最小接地值。
让我知道您使用的是什么闪存器件、以便我可以查看是否由于衰减而存在潜在的不匹配。
此外、您能否确认信号频率-因为我不希望误读您共享的示波器图像。
谢谢!
Parker Dodson
谢谢!μ A
信号有一些过冲,但实际上是1.8V电平。TS3A27518供电电压实测为1.79V。μ A
FLASH厂商为ISSI,型号为IS25WP512M。QSPI时钟频率为20MHz。μ A
这次我测量了全部QSPI信号线,感觉CLK的过冲似乎比其他信号要大不少。但即使拆掉TS3A27518用飞线直接连接,CLK的波形也有过冲,可以参见之前放过的图片,而这种情况下系统却能正常工作。μ A
具体的情况是,通过TS3A27518,J2 (主控芯片 Ω)在烧写过程中是能够读写Flash芯片的,但是烧写完成后,系统在初始化时会卡在某一环节,无法继续。而如果拆掉TS3A27518,用飞线直接连接J2与Flash,则一切正常。图中的黄色波形均为J2到TS3A27518的信号,而绿色波形均为TS3A27518到Flash的信号。Ω
以下各图不是同一时刻的波形,仅用于评估信号完整性和对比TS3A27518两侧的差异。μ A







您好、Zelin、
很抱歉耽误你的时间!
根据我的理解:
系统在对闪存进行编程时工作正常、但在对闪存进行编程后、系统在编程后尝试读取/写入数据时卡住?
您的意思是"编程"- 闪存存储器响应 QSPI 命令-如果您可以访问器件、它应该始终是好的。 或者您是否对其他内容进行编程、因为 它看起来传递的信号没有任何错误。 您共享的闪存存储器数据表中没有任何内容表明这一点
在该序列期间、从写入系统冻结、开关进入的状态是 IN1/IN2引脚的状态是什么?
是否已验证为设置闪存而写入的数据是否正确? 因为如果开关上没有任何变化、那么闪存芯片中会发生变化。
最棒的
Parker Dodson