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[参考译文] TS5A3157：ts5a3157的电荷泵泄漏

admin
Guru**** 1482555 points
Other Parts Discussed in Thread: TS5A3157, SN74CB3T3257, SN74LVC1G3157, SN74CBT3257
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/switches-multiplexers-group/switches-multiplexers/f/switches-multiplexers-forum/969699/ts5a3157-the-charge-pump-leakage-of-ts5a3157

器件型号：TS5A3157
主题中讨论的其他器件： SN74CB3T3257、 SN74LVC1G3157、 SN74CBT3257

大家好、团队、

我们正在考虑  在采样检测器电路中使用 ts5a3157、而不是缺少 有关噪声性能的信息。 根据我们的理解、 内部必须有一个电荷泵 、如果我们使用 VCC=5V、

泵是否在这种情况下工作？  如果发生这种情况、则信号路径的泄漏电流是多少？频率如何？

此致、

James

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    TI__Guru**** 1482555 points
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    该器件不使用电荷泵；图1..3显示了传输门的典型特性。 您不必关心开关本身产生的噪声。

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    TI__Guru**** 1482555 points
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    大家好、Clemens、

    非常感谢！

    根据我们的理解、由于器件支持 VCC 1.8-5.0V、N-MOS 开关栅 极需要  至少比输入信号高2.5V 的电压才能保持开关导通。 那么、这里有使用电荷泵的方法。 我是对的吗？

    此致、

    James   

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    TI__Guru**** 1482555 points
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    大家好、Clemens、

     类似器件 SN74CB3T3257中的更多信息 详细说明了 Vgate = VCC+VT，它应该是内部的电荷泵吗？

    此致、

    James

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    TI__Guru**** 1482555 points
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    传输门 由两个晶体管组成。 如图1所示、在接近0V 的电压下、N-MOS 的导通性能非常好、在接近1.8V 的电压下、P-MOS 的导通性能非常好、在接近1.1V 的电压下、两个晶体管都接近其阈值电压并且几乎关闭。

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    TI__Guru**** 1482555 points
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    大家好、Clemens、

    非常感谢！

     TS5A3157数据表中的电路显示、每次校正时只有一个 N-MOS 开关。 请参阅随附的。 类似的一个，sn74lvc1g3157在 每次方向都有两个。 将您的随附曲线与 sn74lvc1g3157中的曲线进行比较、它们几乎相同、 这会使我感到困惑、因为如果内部有凸点。  

    希望获得您的进一步建议。

    此致、

    James   

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    TI__Guru**** 1482555 points
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    大家好、Clemens、

    如需更多信息    、请参阅 TS5A3157数据表中的图3、最大 VCOM 可能等于 VCC 4.5V、N-MOS 仍然只能以6欧姆电阻导通、这也使我感到困惑。

    由于我们的采样检测器将处理低至2-3 μ V 的弱信号、因此我们更关注器件本身的噪声系数。

    希望获得您的进一步建议。

    非常感谢、致以最诚挚的问候、

    James   

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    TI__Guru**** 1482555 points
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    方框图是错误的。

    在较高的电源电压下、电阻较低。 您可以在图1中看到5V 的相同曲线。

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    尊敬的 James：

    Clemens 正确-数据表中的方框图看起来不正确、因为 Clemens 共享的导通电阻图适用于传输门架构。  由于 该器件使用 NMOS 和 PMOS FET、因此可实现轨到轨转换。 它没有电荷泵。 当您从我们的器件中说噪声增加时、您能否详细说明您正在寻找的确切器件-因为我们通常不会将噪声 FOM 添加到多路复用器数据表中。 但是、我们确实会规范电荷注入和泄漏、这将影响系统精度。  

    请告诉我、以便我可以查看我们是否有您要查找的正确信息。  

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    TI__Guru**** 1482555 points
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    大家好、Clemens、

    非常感谢！ 你会提供很多帮助！

    您好、Parker、

    如果  TS5A3157 的开关电路与  sn74lvc1g3157相同 、 与较高版本相比、主要优势是什么？  

    该器件将用于采样检测器、由于它将处理低至2-3 μ V 的弱信号、因此我们更关注器件本身引入的噪声。 如果 内部没有任何振荡器，它将满足要求。  

    第二个要求是开关速度。  探测器正在打开70MHz，   sn74lvc1g3157似乎 比 TS5A3157快 ，对吧？

    如果 只有 NMOS 开关的 sn74cbt3257更合适吗？  

    此致、

    James

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    TI__Guru**** 1482555 points
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    尊敬的 James：

    当检测器速度为70MHz 时、TS5A3157或 SN74LVC1G3157将能够处理该频率、而不会出现太多衰减。 虽然 LVC 器件具有更高的带宽、但两个器件都将支持该信号。 但是、TS5A3157的泄漏电流较低-这确实会增加开关的误差、TS5A157的导通泄漏电流通常比 SN74LVC1G3157低5倍。 因此、我认为两个器件都可以在这里工作、但我建议使用 TS5A。

    我不会使用 sn74CBT3257、因为它看起来是一个 NMOS 开关、它本身将向下转换。 此外、我们用于测量 Ron 的方法并不能完全了解 Ron 变化与输入电压的关系。 我建议您查看的器件中使用 TS5A3157、因为它不会因没有振荡器而增加噪声。

    如果您有任何其他问题、请告诉我！

    最棒的

    Parker Dodson   

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    您好、Parker、

    感谢大家！

    实现您的理想。

    此致、

    James

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    尊敬的 James：

    没问题！  

    如果您需要其他任何东西、请告诉我！

    最棒的

    Parker Dodson