[参考译文] TS5A3157：ts5a3157的电荷泵泄漏

大家好、Clemens、

非常感谢！

根据我们的理解、由于器件支持 VCC 1.8-5.0V、N-MOS 开关栅 极需要  至少比输入信号高2.5V 的电压才能保持开关导通。 那么、这里有使用电荷泵的方法。 我是对的吗？

此致、

James   

大家好、Clemens、

 类似器件 SN74CB3T3257中的更多信息 详细说明了 Vgate = VCC+VT，它应该是内部的电荷泵吗？

此致、

James

传输门 由两个晶体管组成。 如图1所示、在接近0V 的电压下、N-MOS 的导通性能非常好、在接近1.8V 的电压下、P-MOS 的导通性能非常好、在接近1.1V 的电压下、两个晶体管都接近其阈值电压并且几乎关闭。

大家好、Clemens、

非常感谢！

 TS5A3157数据表中的电路显示、每次校正时只有一个 N-MOS 开关。 请参阅随附的。 类似的一个，sn74lvc1g3157在 每次方向都有两个。 将您的随附曲线与 sn74lvc1g3157中的曲线进行比较、它们几乎相同、 这会使我感到困惑、因为如果内部有凸点。  

希望获得您的进一步建议。

此致、

James   

大家好、Clemens、

如需更多信息    、请参阅 TS5A3157数据表中的图3、最大 VCOM 可能等于 VCC 4.5V、N-MOS 仍然只能以6欧姆电阻导通、这也使我感到困惑。

由于我们的采样检测器将处理低至2-3 μ V 的弱信号、因此我们更关注器件本身的噪声系数。

希望获得您的进一步建议。

非常感谢、致以最诚挚的问候、

James   

方框图是错误的。

在较高的电源电压下、电阻较低。 您可以在图1中看到5V 的相同曲线。

尊敬的 James：

Clemens 正确-数据表中的方框图看起来不正确、因为 Clemens 共享的导通电阻图适用于传输门架构。  由于 该器件使用 NMOS 和 PMOS FET、因此可实现轨到轨转换。 它没有电荷泵。 当您从我们的器件中说噪声增加时、您能否详细说明您正在寻找的确切器件-因为我们通常不会将噪声 FOM 添加到多路复用器数据表中。 但是、我们确实会规范电荷注入和泄漏、这将影响系统精度。  

请告诉我、以便我可以查看我们是否有您要查找的正确信息。  

大家好、Clemens、

非常感谢！ 你会提供很多帮助！

您好、Parker、

如果  TS5A3157 的开关电路与  sn74lvc1g3157相同 、 与较高版本相比、主要优势是什么？  

该器件将用于采样检测器、由于它将处理低至2-3 μ V 的弱信号、因此我们更关注器件本身引入的噪声。 如果 内部没有任何振荡器，它将满足要求。  

第二个要求是开关速度。  探测器正在打开70MHz，   sn74lvc1g3157似乎 比 TS5A3157快 ，对吧？

如果 只有 NMOS 开关的 sn74cbt3257更合适吗？  

此致、

James

尊敬的 James：

没问题！  

如果您需要其他任何东西、请告诉我！

最棒的

Parker Dodson