CCS调试时,Load memory功能从外部文件向地址写入数据时,使用ram的地址可以修改数据,使用flash的地址显示Memory map prevented writing,修改gel文件,增加写权限后出现Memory verification failed. 我想请教一下,这个问题该怎么解决,还是说此功能只能在SRam的地址空间内操作
比如下图所示,我在ram申请了20 int大小的空间,使用Load Memory功能正常,数据可以更改
但是如果将地址改为Flash地址(这里使用的是FLASH B),则出现Map Prevented wirting error。
如果我修改gel文件,增加写权限(这里使用的是Flash F),会显示verification failed ,Fill memory 和 Load Memory都是一样的问题。
所使用的文件都是通过save memory功能生成的,然后手动修改其中某个数据值。Load的时候可以正确识别。只是最终修改失败
Flash存储器使用Flash API或库函数来执行擦除和写入操作,而不是直接通过内存访问,不能像RAM那样直接通过调试接口修改。
具体方法请参考用户手册等资料。