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如何解决掉电保存数据的功耗问题？

hanggui Li
Prodigy 50 points

听说使用内部Flash也能实现掉电保存但是容易挂掉，使用AT24C02之类的eeprom功耗上mA以上，不符合msp430超低功耗的特点。在msp430产品列表里看到430一般都有1k以上的Non-volatile Memory ，可以实现对它操作实现掉电保存并保持超低功耗特性吗？

  • 0
    Guru 20297 points

    我感觉一般从检测到掉电之后，应该有足够的时间来保存一定数量的数据的，只要不是数据量太大

  • 0
    Guru 67475 points
    也可以在输入电源上并个大电容，当掉电时，暂时有电容为单片机供电，保证有足够的时间保存数据
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    TI__Genius 14990 points

    推荐铁电系列430，掉电依然可以保存重要数据，而且功耗更低

  • 0 回复 Butterfly
    Expert 1858 points

    您好，能具体解释一下吗？

    铁电存储器感觉与flash具有相似的功能啊，因为程序需要主动去写，只是速度比较快，可以直接写入，不用擦除罢了。

  • 0 回复 Felix Jiang
    TI__Genius 14990 points

    参考SLAA498B中的表1，原因就是写的速度非常快，不需要像Flash那样先内部升压及先擦除，速度仅次于SRAM

    http://www.ti.com/general/docs/lit/getliterature.tsp?baseLiteratureNumber=slaa498&fileType=pdf&keyMatch=SLAA498B&tisearch=Search-EN-Everything

  • 0
    TI__Mastermind 21947 points

    其实掉电保存一是在于功耗，而是在于速度。如果用flash保存的话，从掉电的瞬间到flash可操作的电压范围内，会有一个下电的曲线，利用这个区间是保存的最后机会。但是由于flash的机制，要整块擦除然后再写，写的速度也很慢，所以保存不了多少数据，在flash一定的情况下，折中的方法只能加一个大电容，延缓下电，增加可操作时间。如果保存数据要求较高，建议使用FRAM，1）可以按bit操作，写前不需要整块擦除。2）单次写入速度快。3）掉电不丢失