听说使用内部Flash也能实现掉电保存但是容易挂掉,使用AT24C02之类的eeprom功耗上mA以上,不符合msp430超低功耗的特点。在msp430产品列表里看到430一般都有1k以上的Non-volatile Memory ,可以实现对它操作实现掉电保存并保持超低功耗特性吗?
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听说使用内部Flash也能实现掉电保存但是容易挂掉,使用AT24C02之类的eeprom功耗上mA以上,不符合msp430超低功耗的特点。在msp430产品列表里看到430一般都有1k以上的Non-volatile Memory ,可以实现对它操作实现掉电保存并保持超低功耗特性吗?
参考SLAA498B中的表1,原因就是写的速度非常快,不需要像Flash那样先内部升压及先擦除,速度仅次于SRAM
http://www.ti.com/general/docs/lit/getliterature.tsp?baseLiteratureNumber=slaa498&fileType=pdf&keyMatch=SLAA498B&tisearch=Search-EN-Everything