DRV81008-Q1: 输出短地,芯片损坏

Part Number: DRV81008-Q1

主机厂有个测试需求,样机输入+接12V,样机输入-悬空,对每个对外输出端子短地测试,系统不允许启动。

基于以上需求,我们设计DRV81008时,在芯片GND(pin5/8/17)和样机全局地之间加了一个二级管,防止以上实验时,电流通过体二极管回流。

设计前,我们测试了芯片GND和EPAD不导通,故只把芯片GND和全局地之间加了二极管,EPAD和全局地直连。

样机实测时发现,样机输入+接12V,样机输入-悬空,OUT1接地,结果系统启动了。断电后发现芯片GND和EPAD阻抗变为20Ω左右,这和实验前的阻抗完全不一样了。实验导致EPAD和芯片GND近乎短路,这是什么原因导致的?EPAD内部电路是咋样的?

我们同步做了一个尝试,EPAD和全局地断开,重复上面实验,样机不启动。

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  • 感谢您对TI产品的关注。
    我们正在核实您的问题,请等待我们的答复。

  • 你好

    谢谢你的提问。

    OEM厂商有一项测试要求:将原型机的输入正极连接到12V,原型机的输入负极悬空,并对每个外部输出端进行短路接地测试;系统不允许启动。

    请问这项需求对应的OEM厂商是哪家?输入+和-分别是什么意思?您是指VM连接到12V电源,而电源地线没有连接到设备的GND引脚吗?

    基于上述要求,我们在设计 DRV81008 时,在芯片的 GND(引脚 5/8/17)和原型机的全局地之间添加了一个二极管,以防止在上述实验过程中电流通过体二极管反向流动。

    请问在GND端加二极管是如何满足客户要求的?

    高侧负载连接到 VM,将输出短接到 GND 即可提供到 GND 的通路并使负载工作。添加二极管只会改变 GND 电压,这可能会损坏器件。

    在原型测试期间,发现当+输入端连接到12V,-输入端悬空,OUT1接地时,系统可以启动。断电后,发现芯片的GND和EPAD之间的阻抗约为20Ω,与实验前的阻抗完全不同。实验结果表明EPAD和芯片的GND之间接近短路。这是什么原因造成的?EPAD的内部电路是怎样的?

    我怀疑GND引脚和散热焊盘之间的电压差可能会损坏器件。通常情况下,散热焊盘内部连接到基板底部,而基板顶部连接到其中一个接地引脚。但我需要和我们的设计团队确认一下。我会调查一下,稍后回复您。同时,请您更新一下我上面提出的问题。

    问候

    莫杰塔巴

  • 1.1 geely

    1.2 DRV81008仅仅是我们样机的其中一个模块,我说的输入+指的是我们整个样机的输入电源(正常情况应该接电池+12V),输入-指的是我们整个样机的输入电源(正常情况应该接电池GND)。你不应该仅仅盯着这个模块看。

    2.1 

    正常情况下,电流从KL30 --> 输入+ --> ECU内部芯片 -->输入- --> KL30.

    执行以上实验室,断开KL31和输入-之间的连接,KL30和输入-正常连接,DRV81008的OUT1接到GND。这时,电流不会从KL31回去,反而会从DRV81008的GND,然后通过DRV81008内部MOSFET的体二极管,经过OUT1回流到地。整个回流打通,ECU整个系统就会运行起来,MCU/SOC等等正常工作,然而这是不被允许的。所以,我们在DRV81008的GND和ECU的GND之间加了一个二极管,就可以阻断这个回流路径。

    3. 我前面说过,单独的DRV81008芯片,我们测量GND和EPAD呈现高阻。做完实验后,就呈现微短路。

    4. 我们把EPAD和ECU之间的GND断开,再次做以上实验,系统是不会启动的。