This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
我在项目中使用DRV8328B的3路PWM模式驱动BLDC时MOSFET在仅运行两三秒的时间内就到了烫手的地步这可能是什么原因造成的？以下是我的原理图
感谢您对TI产品的关注！关于你的咨询，我们正在确认你的问题，稍后回复您。
好的，期待你的帮助
您好，
您发布的原理图很模糊、是否能够将其发布为 PDF？
使用的是什么 MOSFET？ 正在使用的 IDRIVE 设置是什么？
你好，感谢你的回复。
以下是我的原理图pdf，我使用的MOSFET是IRL7486MTRPBF，我并不清楚我的IDRIVE设置，期待你的帮助
SCH_Schematic3_2025-03-21.pdf
你好，
今天我到实验室截取了一些波形，紫色的是GL处的波形黄色是GH处的波形。
原理图看起来不错,没有什么不寻常的, MOSFET选择看起来也不错。 客户使用的是10欧姆栅极电阻器，我不确定其应用是否正确的栅极电阻器我建议他们查看此栅极电阻器计算器，并计算你们是否选择了正确的栅极电阻器。
Gate_Resistor_Calculator_V2.xlsx
https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1163372/faq-gate-resistor-calculator-for-drv8328-drv8329
你们能否提供以下波形？
GHx至SHX
SHX至GND
GLX至GND
可能有一些交叉传导导致MOSFET中的过热，因此使用这些波形会很有帮助。
GHX与GLX至GND的波形已给出，以下是GHX至SHX（图一黄色GHX至GND、紫色SHX至GND、白色GHX至SHX）与SHX至GND（图二）的波形
似乎我的怀疑已得到确认。 这些栅极上存在严重的振铃、这可能是 MOSFET 过热的原因。
客户是否尝试过增大栅极电阻器？
这个问题也可能源于布局设计。 请客户查看此应用手册：
https://www.ti.com/lit/an/slva959b/slva959b.pdf?ts=1710808643945&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F
由于开始疑似死区时间过短导致发热，所以移除了MOSFET G极前的电容(原理图中C1-C6)，上述波形均是移除后测量的，这会导致振铃吗？
另外以下是我的PCB布局可否请你帮我检查，其中CN2和CN3是从同一电源引出的。
万分感谢！
PCB_PCB3_2025-03-27.pdf
我不确定 C1-C6是否会对客户看到的振铃产生如此大的影响。 它们是否能够重新填充 C1-C6？
虽然振铃非常严重、但他们也可能使用 RC 缓冲器、我不知道他们能够滤除多大的噪声。
e2e.ti.com/.../faq-proper-rc-snubber-design-for-motor-drivers
电路板是否只有两层？ 这可能是问题的一部分、MOSFET 的下面好像没有多层铜并使用缝合过孔进行连接、这肯定会导致他们观察到的发热问题。
电路板是两层，MOSFET下确实没有使用缝合孔。但温度上升的非常快非常离谱，在开启驱动器两秒后就非常烫了，应该不是普通的散热问题。有关C1-C6我明天会到实验室进一步测试，但是在去除它们之前发热问题是更加严重一点这可能是死区时间导致的吗？
感谢你的帮助！
我在翻看数据手册https://www.ti.com.cn/cn/lit/ds/symlink/drv8328.pdf和https://www.ti.com.cn/cn/lit/ug/zhcub39a/zhcub39a.pdf还有https://www.ti.com.cn/cn/lit/df/tidmbj0/tidmbj0.pdf时发现低侧的MOSFET源极要求被连接到LSS引脚上，但在我的设计中被忽略了：低侧MOSFET的源极和LSS引脚都被连接到了GND。这是否才是造成发热和振铃的主要原因？
期待你的帮助！
我认为它们可能发生了击穿事件、这意味着从电源到地之间有一条通过高侧和低侧 MOSFET 的开路路径。 这可能是说明 MOSFET 为何如此快速变热的几种解释之一。 所示的波形基本上证实了这一点、振铃似乎足够严重、以至于高侧和低侧 MOSFET 都导通。
他们可以尝试增加栅极电阻、看看这是否对振铃有影响、因为他们已经有栅极电阻器、这应该很容易测试。
要尝试实现 RC 缓冲器、如果没有该空间的设计、可能会更困难一些。
电压电源和预期电流是多少？
根据您的参数、即使在解决振铃和击穿问题的情况下、两个层也可能不够。
Yuuka Kazami 说：发现低侧的MOSFET源极要求被连接到LSS引脚上，但在我的设计中被忽略了：低侧MOSFET的源极和LSS引脚都被连接到了GND。这是否才是造成发热和振铃的主要原因？
我不确定这是否有问题、直接对地的 LSS 基本上会禁用 VSENSE 过流检测。
我的驱动器在上次测试后无法使用了，PCB上并没有短路或者IC烧毁的迹象，上电后没有发热现象，但栅极驱动也没有输出，在nFAULT引脚检测出拉低，通过nSLEEP多次重启仍然没有输出，测量PVDD值为12V。我并不清楚这是什么原因造成的，这使我无法进行进一步的测试。
电源电压典型值是12V预期电流10A，我会在新的设计中采纳你的意见加入RC缓冲，增大栅极电阻，增大死区时间。
我建议他们在决定设计新的产品之前先测试当前的设计，这样他们就可以看到这些调整是否有帮助。
