您好,
原理图看起来不错,没有什么不寻常的, MOSFET选择看起来也不错。 客户使用的是10欧姆栅极电阻器,我不确定其应用是否正确的栅极电阻器我建议他们查看此栅极电阻器计算器,并计算你们是否选择了正确的栅极电阻器。
Gate_Resistor_Calculator_V2.xlsx
你们能否提供以下波形?
GHx至SHX
SHX至GND
GLX至GND
可能有一些交叉传导导致MOSFET中的过热,因此使用这些波形会很有帮助。
您好,
似乎我的怀疑已得到确认。 这些栅极上存在严重的振铃、这可能是 MOSFET 过热的原因。
客户是否尝试过增大栅极电阻器?
这个问题也可能源于布局设计。 请客户查看此应用手册:
你好,
由于开始疑似死区时间过短导致发热,所以移除了MOSFET G极前的电容(原理图中C1-C6),上述波形均是移除后测量的,这会导致振铃吗?
另外以下是我的PCB布局可否请你帮我检查,其中CN2和CN3是从同一电源引出的。
万分感谢!
您好,
我不确定 C1-C6是否会对客户看到的振铃产生如此大的影响。 它们是否能够重新填充 C1-C6?
虽然振铃非常严重、但他们也可能使用 RC 缓冲器、我不知道他们能够滤除多大的噪声。
e2e.ti.com/.../faq-proper-rc-snubber-design-for-motor-drivers
电路板是否只有两层? 这可能是问题的一部分、MOSFET 的下面好像没有多层铜并使用缝合过孔进行连接、这肯定会导致他们观察到的发热问题。
你好,
电路板是两层,MOSFET下确实没有使用缝合孔。但温度上升的非常快非常离谱,在开启驱动器两秒后就非常烫了,应该不是普通的散热问题。有关C1-C6我明天会到实验室进一步测试,但是在去除它们之前发热问题是更加严重一点这可能是死区时间导致的吗?
感谢你的帮助!
你好,
我在翻看数据手册https://www.ti.com.cn/cn/lit/ds/symlink/drv8328.pdf和https://www.ti.com.cn/cn/lit/ug/zhcub39a/zhcub39a.pdf还有https://www.ti.com.cn/cn/lit/df/tidmbj0/tidmbj0.pdf时发现低侧的MOSFET源极要求被连接到LSS引脚上,但在我的设计中被忽略了:低侧MOSFET的源极和LSS引脚都被连接到了GND。这是否才是造成发热和振铃的主要原因?
期待你的帮助!