您好!
我们使用了一个DRV8350RH驱动芯片,在运行过程中会Nfault报错,芯片发热。
后续排查芯片发现VGLS对GLX引脚阻抗变低或者短路,排查位置如下图所示
请问改位置MOS的DS承受电压(VGLS对GLx耐压值)为多大?
还有,这个上拉MOS过压和过流,哪一个损坏概率大一些?(目前我们设置的驱动拉电流为300mA,载波频率16KHz,驱动两个MOS并联)
以上两个问题麻烦解答一下,谢谢。
周鼎
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您好
请问改位置MOS的DS承受电压(VGLS对GLx耐压值)为多大?
您截图部分是内部逻辑示意图,关于相关极限您可以参考datasheet中的电气特性表
这个上拉MOS过压和过流,哪一个损坏概率大一些?
不能这样比,因为您指出的部分是内部逻辑示意,单论过流和过压均要进行避免,无法从程度来进行比较。
这里补充一个问题,DRV835x系列芯片可以通过外置电阻设置驱动电流,请问如果驱动电流超过这个设置值,芯片会限制驱动电流输出吗?还是芯片会直接停机保护?
关于这个部分datasheet中OCP有相关详细说明请您参考。
您好!
1、截图部分确实是内部逻辑示意图,但是我们查看datasheet中没有此处的电气特性说明,只是看到此处电路描述为互补推挽电路。且在电气特性表中,只看到了对于VGLS引脚的电压和GLx引脚的电压说明,但是没有对该处的互补推完电路有详细说明。如果我们查看datasheet有遗漏还麻烦指明位置。
2、既然datasheet中对此处的电路为互补推挽电路,那么就存在MOS或者三级管的电路结构。我们在VGLS和GLx引脚之间增加稳压管后,DRV835x仍然会报错误但是故障能够消除,所以认为是此处的推挽电路开关应力导致。
3、OCP部分已查到,但图中对于seven code setting的讲述没有很准确,是指降低电流的含义吗?
您好
1、截图部分确实是内部逻辑示意图,但是我们查看datasheet中没有此处的电气特性说明,只是看到此处电路描述为互补推挽电路。且在电气特性表中,只看到了对于VGLS引脚的电压和GLx引脚的电压说明,但是没有对该处的互补推完电路有详细说明。如果我们查看datasheet有遗漏还麻烦指明位置。
请您参考上述图片。
、OCP部分已查到,但图中对于seven code setting的讲述没有很准确,是指降低电流的含义吗?
8.6 Register Maps
请您参考datasheet此章节有相关代码说明,请您参考。