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DRV8350R: DRV8350H运行过程中损坏问题请教

Part Number: DRV8350R

您好!

我们使用了一个DRV8350RH驱动芯片,在运行过程中会Nfault报错,芯片发热。

后续排查芯片发现VGLS对GLX引脚阻抗变低或者短路,排查位置如下图所示

请问改位置MOS的DS承受电压(VGLS对GLx耐压值)为多大?

还有,这个上拉MOS过压和过流,哪一个损坏概率大一些?(目前我们设置的驱动拉电流为300mA,载波频率16KHz,驱动两个MOS并联)

以上两个问题麻烦解答一下,谢谢。

周鼎

  • 已经收到了您的案例,调查需要些时间,感谢您的耐心等待。

  • 您好,感谢您的回复!

    这里补充一个问题,DRV835x系列芯片可以通过外置电阻设置驱动电流,请问如果驱动电流超过这个设置值,芯片会限制驱动电流输出吗?还是芯片会直接停机保护?

    谢谢

  • 您好

    请问改位置MOS的DS承受电压(VGLS对GLx耐压值)为多大?

    您截图部分是内部逻辑示意图,关于相关极限您可以参考datasheet中的电气特性表

    www.ti.com/.../drv8350r.pdf

    这个上拉MOS过压和过流,哪一个损坏概率大一些?

    不能这样比,因为您指出的部分是内部逻辑示意,单论过流和过压均要进行避免,无法从程度来进行比较。

    这里补充一个问题,DRV835x系列芯片可以通过外置电阻设置驱动电流,请问如果驱动电流超过这个设置值,芯片会限制驱动电流输出吗?还是芯片会直接停机保护?

    关于这个部分datasheet中OCP有相关详细说明请您参考。

  • 您好!

    1、截图部分确实是内部逻辑示意图,但是我们查看datasheet中没有此处的电气特性说明,只是看到此处电路描述为互补推挽电路。且在电气特性表中,只看到了对于VGLS引脚的电压和GLx引脚的电压说明,但是没有对该处的互补推完电路有详细说明。如果我们查看datasheet有遗漏还麻烦指明位置。

    2、既然datasheet中对此处的电路为互补推挽电路,那么就存在MOS或者三级管的电路结构。我们在VGLS和GLx引脚之间增加稳压管后,DRV835x仍然会报错误但是故障能够消除,所以认为是此处的推挽电路开关应力导致。

    3、OCP部分已查到,但图中 对于seven code setting的讲述没有很准确,是指降低电流的含义吗?

  • 您好

    1、截图部分确实是内部逻辑示意图,但是我们查看datasheet中没有此处的电气特性说明,只是看到此处电路描述为互补推挽电路。且在电气特性表中,只看到了对于VGLS引脚的电压和GLx引脚的电压说明,但是没有对该处的互补推完电路有详细说明。如果我们查看datasheet有遗漏还麻烦指明位置。

    请您参考上述图片。

    、OCP部分已查到,但图中 对于seven code setting的讲述没有很准确,是指降低电流的含义吗?

    8.6 Register Maps

    请您参考datasheet此章节有相关代码说明,请您参考。

  • 感谢您的回复!

    1、规格书中给出的VGLS电压为最大18V,是对GND的电压还是对GLx的电压?

  • 感谢您的回复!

    就如本问题最开始提到的,我们希望能够知道VGLS对GLx的电压,目前我们排查此处的推挽MOS的寄生二极管异常了。

  • 您好

    如之前给您分享的电气极限表,分别由这两个管脚对地的极限值,您可以参考一下。