您好，我这边参照规格书使用LM25184进行了反激电源设计，输入为24V，输出功率合计约为7W，原边绕组电感为17uH。
与推荐设计的主要区别在于，为了限制上电时的冲击电流，我还在VIN之前还接入了1Ω的NTC电阻（尽管在规格书的推荐电路设计中，似乎并没有提到必需加入这种设计）。
至今，已制作了上百块电路板，其中有2块出现了首次上电即造成SW对GND短路的现象，更换LM25184芯片后即可正常工作。（其余大部分板子反复上电也不会有问题）
首先不排除是芯片个体的差异问题，但另一方面，我也在思考是否是设计问题。
我看规格书中提到，内部的MOSFET是2.5A的额定电流值。虽然电源回路中有原边电感，电流不会瞬时变化，但我无法定量去计算当前的设计数值是否会导致流过MOSFET的电流超标，才导致损坏了芯片。
麻烦帮忙分析一下原因，谢谢。
