HI 设计BQ28Z610DRZR有如下疑问，帮忙解答，谢谢。
- Fuse位置放置在电芯B+出来的位置，是有什么要求吗？常规Fuse应该放置在靠近P+处，一旦保险丝熔断后，可切断外部的干扰（短路或者高压）；
- SCL和SDA芯片内置有拉上源头吗？
- SCL和SDA均分别串联2个100R的电阻，对信号质量有没有影响？
- MOS的驱动电阻1K是否过大，芯片自带的驱动能力（mA）如何？
- 芯片支持乱序上电吗？
您好
Fuse位置放置在电芯B+出来的位置，是有什么要求吗？常规Fuse应该放置在靠近P+处，一旦保险丝熔断后，可切断外部的干扰（短路或者高压）
将保险丝置于bat+端，可保护您的场效应晶体管（FET）。但此步骤非强制要求，您可自行决定FET的安装位置。
SCL和SDA芯片内置有拉上源头吗？
不，需要外部拉伸。
SCL和SDA均分别串联2个100R的电阻，对信号质量有没有影响？
No
MOS的驱动电阻1K是否过大，芯片自带的驱动能力（mA）如何？
我不太确定自己是否理解这个问题。以下是CHG和DSG引脚的规格说明。
芯片支持乱序上电吗？
Are you referring to how the cells are connected? This gauge supports random cell connections.
