Other Parts Discussed in Thread: TL431
UC3843做反激电源驱动MOS，在很低功率下也发热高达100℃，这是为什么？
设计要求说明：
INPUT:85VAD-265VAC
OUTPUT:12VDC 50W Efficience:85%
原理图如下
采用UC3843做驱动，已更换了4款mos管，发现都有温度过高的情况。变压器参数下文会给出。相关MOS管测温情况也给出。
pcb布局，如果有问题请指出
mos管运行3分钟后，温度变化，十分钟后超过100℃。
表中列出其中两款mos管的温度变化
变压器1参数：
变压器2参数：基于TI官网手册（但发热严重问题依然存在）
电路各部分波形正常，工作在DCM模式
VDS+VGS
vgs米勒平台(测试中因运原理图中的mos发热严重，替换成了另一款12N65-TD+上述TI技术手册绕制的变压器)
测FB脚信号2.5V（黄色波形），CS电流检测在0.5-0.6V.
下面是我已经尝试的一些措施：
1、已尝试加大RCD吸收，电容加大容易带载不稳，电阻减小带载正常，但mos管发热没改善；
2、栅极电阻从47Ω，逐步减小至10Ω，栅极驱动从300多ns加快至100多ns，但mos管发热没改善；
3、更换输入电容更小的mos管，没改善。
4、环路补偿做了改动，TL431的动态补偿改较小电容10pf，电阻增大330K，mos管发热没改善；
5、辅助绕组加大限流电阻。电压由21V降低12V.mos管发热没改善；
目前已做完变压器更换，RCD吸收，及环路补偿调整，发热问题没改善，有经验的前辈们帮忙看看，大家畅所欲言，提供一些宝贵的建议。也许能让我想到一些我忽略的可能，谢谢
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