TPS23754EVM-383: 使用TPS23754EVM-383参考设计发现初级侧mosfet Vds电压超压，超过150V，麻烦帮忙分析一下原因

Hi

    有可能是测量方法的问题，150V高出输入太多。

    可以直接测试MOS的VDS电压看看。（或者MOS  D极对GND)

因为没法直接使用示波器去测量p-mos的Vds，所以使用两个探针，都以POE+为参考，测量Vd和Vs电压，再相减得出Vds电压

Hi

    我倾向是测试问题，如果两个探针，都以MOS的GND为参考呢？

我们没有隔离探头，直接把示波器的探头的地夹到mos的gnd会导致POE握手失败；

我把现象重新描述一下：在原边使用有源正向钳位拓扑，U21上料P-MOS时，POE无法启动，我把U21取下来以后，POE可以输出12V，但这时测量Vds电压超标，达到220V

HI

    这更不正常了， U21去掉后，就不是有缘钳位拓扑了，不应该会正常输出了。

    有没有确认变压器设计。

变压器设计参考的demo设计中750311320的参数EP-T838S翼腾完整承认书(4).pdf

HI

   好的，感谢你分享。