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Hi TI team,
客户调试出现以下疑虑需要协助解答,谢谢!
一:问题现象描述
芯片的寄存器读取数据正常,ACUV, ACOV正常. 读取输入电压正常,电池电压正常。
CHARGE_STAT,111 – Charge Termination Done,为充电截至状态,
P6: PG实际测量是低电平,读寄存器REG0x22_Charger_Status_2 Register的PG_STAT位是0.(应该是1)
实际芯片BQ25756的P7: CE电平开机,芯片没有输出。
芯片的寄存器EN_CHG置1. BQ25756芯片无法给电池进行充电。
二:测试芯片工作不正常如下。
1:芯片P23: DRV-SUP没有电。
2:P24: REGN没有电。
3:P4: STAT1低电平
4:P5: STAT2 低电平
三:实际检测PCB发现下面的问题,请问下面的是否可能对芯片的正常工作有影响?
是否一定要接地?
是否一定要接地?
手工焊上。
是否一定要把REGN和DRV-SUP连接上,中间串一个100R电阻。
您好, FSW_SYNC Switching Frequency and Synchronization Input数据手册推荐接电阻到PGND.
ILIM_HIZ: If ILIM_HIZ pin is not used, this pin should be pulled to PGND, do not leave floating.
ACN REGN DRV-SUP的接法请参考数据手册表 6-1. Pin Functions