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BQ25750EVM: BQ25750;BQ25750EVM

Part Number: BQ25750EVM
Other Parts Discussed in Thread: BQ25750

工程师你好,在使用TI提供的BQ25750EVM文件自行打板以及贴片后,我们进行测试。在不使用PC端编程的情况下,采用评估板默认的状态下进行测试,系统负载端和电池连接端无接入,输入端采用直流电源输入25V,用万用表测得电池端(J3)电压约为10V左右,与BQ25750EVM默认输出电压29V不符,并根据输入电压的不同输出电压也有变化,而且FB引脚电压远没有说明文件中的1.5V。
后续我们将直流电源和电子负载并联接入电池端,其中电子负载采用恒流模式,恒流值与并联的直流电源的限流设置值一样,并通过调节直流电源的电压来模拟电池电压,使评估板工作在相应阶段,通过这种方法来测试评估板的充电电流。评估板输入电压还是25V,发现在调节接在电池端的直流电源的电压低于10V时,有几十毫安的充电电流,一旦接在电池端的直流电源的电压高于10V,就没有充电电流。然后将接在电池端的直流电源的电压调为15V时,此电源电压上不到15V实际上到10V左右,跟空载时接输入电源时测得充电电压一样。

想问一下,这个问题是怎么造成的,或者说有什么方法进行测试可以找出问题所在?

  • 已经收到了您的案例,调查需要些时间,感谢您的耐心等待。

  • 感谢您为此所做的工作。我推荐几件事来帮助你:
    因为输出电压随输入电压而变化,所以当EVM关闭时,你能检查从VAC到VBAT的电阻吗?
    您能将电池连接到BQ25750,然后连接到直流电源吗?BQ25750的默认充电电流约为8A。请确保直流电源可以提供这么多。
    或者,您可以将ICHG寄存器编程为更低的充电电流。这将使测试更容易。
    您能将2000µF的电容器连接到VBAT进行初始测试吗?如果发现断路,这将有助于使充电器更稳定。
    如果在VBAT上使用电子负载,请确保使用恒压负载。

  • 实验室所用的直流电源可以提供10A甚至可以到60A。
    今天我们尝试了用2200µF的电容器连接到VBAT进行测试,并且在VBAT上并联的电子负载使用恒压模式23.5V,调整输入端直流电源23V输入,电子负载上才显示8.9V的充电电压,而负载上显示的电流为几毫安甚至没有。

  • 同时我们测了降压侧高侧MOSFET(Q1,黄色1通道)和升压侧高侧MOSFET(Q3,蓝色2通道)的驱动电压,发现两侧的驱动电压都不一样,这是为什么呢?

  • 之后测了降压侧上下两个MOSFET的驱动电压,黄色线是高侧MOSFET,蓝色线是底侧MOSFET

  • 最后我们对降压/升压侧的高侧功率 MOSFET 栅极驱动器电源进行测量,黄色1通道测量降压侧高侧功率 MOSFET 栅极驱动器电源(引脚BTST1),而蓝色2通道测量升压侧高侧功率 MOSFET 栅极驱动器电源(引脚BTST2)。可以看到VBTST1电压杂乱无章,理应跟VBTST2一样的波形才对?

  • 针对您发的三个图

    1) 我认为这是正常的行为。未切换的高端FET可能由电荷泵驱动。

    2)这不是正常的波形。你能把这个IC换成新的IC,看看行为是否会改变吗?

    3)BTST电压源参考SW节点,而不是GND。您是使用单端探头还是差分探头来测量BTST1和BTST2?

  • 首先我们尝试过换新的IC,但还是在输入23V输出空载的情况下测得充电电压8V左右,充电电流50mA左右,也尝试过恒压负载23.5V并2200uF的电容接在电池端,充电电压还是显示8V上下,充电电流几乎为零。
    测BTST电压源是用差分探头,不过我们是将参考电位接在了GND。

  • 1. 如果将充电电压设置为较低的值/电池数量(如12V),会发生什么?
          a. 拆下JP1分流器,并在JP2的引脚之间连接外部电阻
    2.你能测量电感器电流吗?
    3. registers reporting是怎么样的

    我在实验室里用我的EVM在参考PGND的BTST节点上拍摄了这张照片。你认为这看起来像你遇到的问题吗?我遵循了我认为是你的测试设置(25V输入,电容器和电子负载设置为23.5V输出),然后将我的FB电阻器设置为14V充电。由此,电子负载被固定在14V而不是23.5V,当电压降至Vrechg时,这种情况会周期性地发生。