Other Parts Discussed in Thread: UNIFLASH
修改生成HEX文件起始和结束位置从而控制烧录位置
Original question:
您好，
由于工程大小的不同，您无法控制结束位置地址。
起始地址的修改，您可以进您的工程文件找到.cmd文件并打开（CCS中），找到其中这一部分
按住Ctrl+鼠标右键点击FLASH_START，会跳转到
再按住Ctrl+鼠标右键点击FLASH_BASE，会跳转到
您可以修改这个位置的地址值。
具体FLASH的地址范围您可以查看CC13x2, CC26x2 SimpleLink
Wireless MCU Technical Reference Manual (Rev. F)其中的Memory Map查看具体参数，如图：
希望可以帮助到您。
经对比发现OAD文件的CMD文件没有在CCS中，是直接在Demo OAD目录下修改CMD吗？
2、我试了一下出现很多错误，怎样修改最简单呢？还是仿照OAD工程CMD修改？
在CCS step中添加了这个命令 ：
"${CCE_INSTALL_ROOT}/utils/tiobj2bin/tiobj2bin" "${BuildArtifactFileName}" "${BuildArtifactFileBaseName}.bin" "${CG_TOOL_ROOT}/bin/armofd" "${CG_TOOL_ROOT}/bin/armhex" "${CCE_INSTALL_ROOT}/utils/tiobj2bin/mkhex4bin"
报错如下：
也修改tiobj2bin.bat中ofd470 以及470相关改为2642/26x2均失败
根据什么提示做了什么修改吗？
用链接中的objcopy工具做的如下图，但是Bin的尺寸没变。
是更改了烧录起始地址吗？您是在哪里（软件）设置的相关配置？被锁又是什么情况？
更改了烧录的起始地址，就变成这样了
用链接中的objcopy工具做的如下图，但是Bin的尺寸没变。
我就执行了上图命令，生成的BIn还是352kb，我该怎样去除空洞？我看连接里面也是上图命令。
您好，
您尝试使用以下Uniflash是否能擦除成功，期待您的跟进。
本问题和该帖子主题无关，也希望您可以重新开一个帖子论述相关问题。
您好，
我这边又研究了一下那一份文件，最后的example只是介绍如何生成二进制文件（.bin），并没有说可以去除空洞。所以您生成的.bin文件和通过后步骤生成的大小是一样的（这是肯定的，因为他们都是调用了同一个路径下的同一个工具去生成的）。
关于hole的问题只有在文档中的
有介绍，也只有从理论上讲述了如何避免空洞。
