INA229: Vshunt Gain error测试有问题

这是我们测试方案的简单图示：在IN+和IN-两端加电压(±163.84mV以内)，使用六位半万用表测IN+和IN-两侧的电压，读04h（Vshunt）寄存器的值。如此得到几组数据，使用函数拟合得到一个一次函数，斜率减一即为Vshunt Gain error。目前，我们更换过IN+和IN-两侧的电源，使用过ADC或者电源或者电源分压，结果都不理想。在IN+和IN-输入120mV的情况下，读数的差值接近200uV。

您好，

我稍后看下您的问题

您好，

如下截图所示，增益误差最大0.05%，200uV也就是0.2mV，可算得增益误差是0.2mV/120mV=0.17%，超出了规格很多，确实很大。

您可以附上完整的测试电路吗？INA228和INA229的测试有什么不同吗？它们之间好像是通信接口间的区别。

您测试几块INA229的板子是这种现象？可以多测试几块板子吗？

我们INA228和INA229的测试板没有任何不同，我只是改变了通讯端口的接线方便通讯。INA229测试接近十颗，没有一颗可以在规格书范围内的。IN+和IN-连接的原理图和PCB如图所示（电阻值是我乱写的，我甚至更换过很多种滤波电路或者拆除滤波电路都没有效果），R5电阻有使用过电阻分压方式的稍大一点的电阻，或者直接灌电流方式使用50m ohm的电阻，区别都不是很大。

Amy Luo 说：

INA228和INA229的测试有什么不同吗？

我想确认的是它们的测试条件相同吗？包括测试信号源、输入端电路、测试工具等

测试时输入共模电压是24V是吗？看下面截图gain error与共模电压关系很大：

另外，可能是物料问题，INA229是从TI store或TI授权代理商处购买的吗？请确认下物料来源

测试条件是完全相同的，包括输入信号源，输入端电路和测试使用的七位半/六位半等，我们甚至采购了INA226进行测试都能测得很好的性能。芯片是去年从云汉芯城官方购买的。输入有给24V共模，也有接地测试过，从图来看，接地造成的Gain error误差只有0.075%，不会造成接近0.2%的误差。