我尝试使用 TMS320F28379D 和外部 SDRAM 存储器(2M 字 x 32位 x 4组 - AS4C8M32S-6TIN)设置定制板、EMIF1设置 EMIF1CLK = CPU1SYSCLK/2、CPU1SYSCLK = 200MHz。
我还将 emif1_32BIG_SDRAM_cpu01示例代码调整为我的自定义应用程序。
我看到的问题是、所有数据似乎都被镜像到外部存储器的所有地址、而不是像示例代码执行的那样在每个存储器位置增加1。
如果我将 CPU1SYSCLK 减少至100MHz、将 EMIF1时钟减少至50MHz、我可以使应用正常运行。
我修改了代码以执行文档中建议的两种初始化方法(SPRUHM8I、25.5.5.5 SDRAM 配置过程)、但这两种方法似乎都具有相同的结果。
是否有人可以检查我的外部 SDRAM 设置是否正常、并帮助使该接口在100MHz 的 EMIF1下正常工作？
请参阅下面的程序 B 使用的代码。此外、我已将内存浏览器行为附加到以50MHz (工作正常)和100MHz (具有镜像数据)运行的 EMIF1代码。
//---------------------------------- //包括 //----------------- #include "F2837xD_DEVICE.h" #include "F2837xD_examples.h" #include "GPIO.h" #include "EMIF1.h" //定义 // #define TEST_PASS 0xABCDABCD #define TEST_FAIL 0xDEADDEEAD #define SDRAM_CS0_START_ADDR 0x8000000 #define SDRAM_CS0_SIZE 0x00800000 // // Globals // UINT16 ErrCount = 0； UINT32 test_status； UINT32 ii； void Emif1Config (void) ｛ char 勘误表_local； TEST_STATUS = TEST_FAIL； EALLOW； // //为 CPU1抓取 EMIF1 // EMIF1ConfigRegs.EMIF1MSEL.ALL = 0x93A5CE71； if (emif1ConfigRegs.EMIF1MSEL.all！= 0x1) ｛ ErrCount++； ｝ // //禁用访问保护(CPU_Fetch、CPU_WR/DMA_WR) // EMIF1ConfigRegs.EMIF1ACCPRT0.ALL = 0x0； if (emif1ConfigRegs.EMIF1ACCPRT0.ALL！= 0x0) ｛ ErrCount++； ｝ // //提交与保护相关的配置。 直到该位保持不变 //设置 EMIF1ACCPROT0寄存器的内容不能更改。 // EMIF1ConfigRegs.EMIF1COMMIT.ALL = 0x1； if (emif1ConfigRegs.EMIF1COMMIT.ALL！= 0x1) ｛ ErrCount++； ｝ // //锁定配置，使 EMIF1COMMIT 寄存器不能更改 //任何更多。 // EMIF1ConfigRegs.EMIF1LOCK.ALL = 0x1； if (emif1ConfigRegs.EMIF1LOCK.ALL！= 1) ｛ ErrCount++； ｝ EDIS； InitEsaTrdEmif1Gpio()；
//将内存置于自刷新模式以更改频率 emif1Regs.SDRAM_CR.bit.SR = 0x1； //配置为在半速率上运行 EMIF1 (EMIF1CLK = CPU1SYSCLK/2) // EALLOW； ClkCfgRegs.PERCLKDIVSEL.bit.EMIF1CLKDIV = 0x1； EDIS；
//释放自刷新模式 emif1Regs.SDRAM_CR.bit.SR = 0x0； //配置 SDRAM 控制寄存器 //需要根据 SDRAM 数据表进行编程。 //T_RFC = 60ns = 0x6 //T_RP = 18ns = 0x1 //T_RCD = 18ns = 0x1 //T_WR = 12ns = 0x1 //T_RAS = 42ns = 0x4 //T_RC = 60ns = 0x6 //T_RRD = 12ns = 0x1 emif1Regs.SDRAM_TR.bit.T_RFC = 0x6； emif1Regs.SDRAM_TR.bit.T_RP = 0x1； emif1Regs.SDRAM_TR.bit.T_RCD = 0x1； emif1Regs.SDRAM_TR.bit.T_WR = 0x1； emif1Regs.SDRAM_TR.bit.T_RAS = 0x4； emif1Regs.SDRAM_TR.bit.T_RC = 0x6； emif1Regs.SDRAM_TR.bit.T_RRD = 0x1； //Txsr = 61.5ns = 0x6 EMif1Regs.SDR_EXT_TMNG.bit.T_XS = 0x6； //Tref = 64ms (15.6us*4096)对于4096行、RR = 64m*100M/4096 = 1562.5 (0x61B) //Emif1Regs.SDRAM_RCR.ALL = 0x61B；
//过程2配置 emif1Regs.SDRAM_RCR.bit.refresh_rate = 0x9C5； //pagesize=1 (每行元素数)、IBANK = 2 (4组)、CL = 3、NM = 0 (32位) //Emif1Regs.SDRAM_CR.all = 0x00000720； emif1Regs.SDRAM_CR.bit.SR = 0x0； emif1Regs.SDRAM_CR.bit.nm = 0； emif1Regs.SDRAM_CR.bit.CL = 0x3； EMif1Regs.SDRAM_CR.bit.bit_11_9_LOCK = 0x1； EMif1Regs.SDRAM_CR.bit.IBANK = 0x2； EMIF1Regs.SDRAM_CR.bit.PAGESIGE = 0x3；
//添加延迟以满足 SDRAM 加电限制 DELAY_US (200)；
//配置 SDRAM 数据表刷新率 emif1Regs.SDRAM_RCR.bit.refresh_rate = 0x61b； // //添加一些额外的延迟 // for (ii = 0；ii < 123；ii +)｛｝ //基本读/写检查。 ErrCount_Local = SDRAM_READ_WRITE (SDRAM_CS0_START_ADDR、SDRAM_CS0_SIZE)； ErrCount = ErrCount + ErrCount_LOCAL； //运行不同的地址步行检查 ErrCount_Local = SDRAM_addr_walk (SDRAM_CS0_START_ADDR、15)； ErrCount = ErrCount + ErrCount_LOCAL； //运行不同的数据步行检查 ErrCount_Local = SDRAM_DATA_Walk (SDRAM_CS0_START_ADDR、SDRAM_CS0_SIZE)； ErrCount = ErrCount + ErrCount_LOCAL； //运行不同的数据大小检查 ErrCount_Local = SDRAM_DATA_SIZE (SDRAM_CS0_START_ADDR、4)； ErrCount = ErrCount + ErrCount_LOCAL； 如果(ErrCount = 0x0) ｛ test_status = test_pass； ｝ ｝ // // SDRAM_DATA_Walk -此函数为 SDRAM RD & WR 执行步行0 & 1 // char SDRAM_DATA_walk (uint32 start_addr、uint32 mem_size) ｛ uint32 xm_p、XMEM_p； unsigned long SDRAM_rdl； unsigned long SDRAM_wdl； int i； int k； int m； xm_p = start_addr； 对于(i=0；i < mem_size；i=i+64) ｛ 对于(m=0；m < 2；m++) ｛ XMEM_p = xM_p； // //写入循环 // SDRAM_wdl = 0x0001； 对于(k=0；k < 32；k++) ｛ 如果(m=0) ｛ __addr32_write_uint32 (XMEM_p、SDRAM_wdl)； } 其他 ｛ __addr32_write_uint32 (XMEM_p、~SDRAM_wdl)； } XMEM_p = XMEM_p+2； SDRAM_wdl = SDRAM_wdl<<1； ｝ // //读取循环 // XMEM_p = xM_p； SDRAM_wdl = 0x0001； 对于(k=0；k < 32；k++) ｛ SDRAM_rdl =__addr32_read_uint32 (XMEM_p)； 如果(m==1) ｛ SDRAM_rdl =~SDRAM_rdl； ｝ if (SDRAM_rdl！= SDRAM_wdl) ｛ 返回(1)； } XMEM_p = XMEM_p+2； SDRAM_wdl=SDRAM_wdl<<1； ｝ ｝ XM_p = XMEM_p； ｝ return (0)； ｝ // SDRAM_addr_walk -此函数对每个地址位执行切换。 // 在这种情况下、假定内存为4MB。 // ma = BA[1：0] row[11：0] COL[7：0] // char SDRAM_addr_walk (uint32 start_addr、uint32 addr_size) ｛ uint32 XMEM_p； unsigned long SDRAM_rdl； unsigned long SDRAM_wdl； int i； 无符号长 x 移位； 无符号长整型 xshift2； // //写入循环 // xshift = 0x00000001； SDRAM_wdl = 0x5678abcd； 对于(i=0；i < addr_size；i++) ｛ xshift 2 =((xshift+1)<1)； XMEM_p = start_addr + xshift2； __addr32_write_uint32 (XMEM_p、SDRAM_wdl)； SDRAM_wdl = SDRAM_wdl+0x111111； xshift = xshift<<1； ｝ // //读取循环 // xshift = 0x00000001； SDRAM_wdl = 0x5678abcd； for (i=0；i < addr_size；i++) ｛ xshift 2 =((xshift+1)<1)； XMEM_p= start_addr + xshift2； SDRAM_rdl =__addr32_read_uint32 (XMEM_p)； if (SDRAM_rdl！= SDRAM_wdl) ｛ 返回(1)； } xshift = xshift <<1； SDRAM_wdl = SDRAM_wdl + 0x11111111； ｝ return (0)； ｝ // SDRAM_DATA_SIZE -此函数执行不同的数据类型 // (HALFWORD/WORD)访问。 // char SDRAM_DATA_SIZE (uint32 start_addr、uint32 mem_size) ｛ 无符号短整型 SDRAM_RDS； unsigned long SDRAM_rdl； 无符号短整型 SDRAM_WDS； unsigned long SDRAM_wdl； int i； uint32 XMEM_p； // //写数据短整型 // XMEM_p = start_addr； SDRAM_WDS = 0x0605； 对于(i=0；i < 2；i++) ｛ __addr32_write_uint16 (XMEM_p、SDRAM_WDS)； XMEM_p++； SDRAM_WDS += 0x0202； ｝ // //长写数据 // SDRAM_wdl = 0x0C0B0A09； 对于(i=0；i < 2；i++) ｛ __addr32_write_uint32 (XMEM_p、SDRAM_wdl)； XMEM_p = XMEM_p+2； SDRAM_wdl += 0x04040404； ｝ // //读取数据短整型 // XMEM_p = start_addr； SDRAM_WDS=0x0605； 对于(i=0；i < 6；i++) ｛ SDRAM_RDS =__addr32_read_uint16 (XMEM_p)； if (SDRAM_RDS！= SDRAM_WDS) ｛ 返回(1)； } XMEM_p++； SDRAM_WDS += 0x0202； ｝ // //长读数据 // XMEM_p = start_addr； SDRAM_wdl=0x08070605； 对于(i=0；i<3；i++) ｛ SDRAM_rdl =__addr32_read_uint32 (XMEM_p)； if (SDRAM_rdl！= SDRAM_wdl) ｛ 返回(1)； } XMEM_p = XMEM_p+2； SDRAM_wdl += 0x04040404； ｝ return (0)； ｝ // SDRAM_READ_WRITE -此函数执行简单的读/写访问 // 存储器。 // char SDRAM_READ_WRITE (uint32 start_addr、uint32 mem_size) ｛ unsigned long mem_rdl； unsigned long mem_wdl； uint32 XMEM_p； uint32 i; // //写入数据 // XMEM_p = start_addr； // //填充存储器 // MEM_wdl = 0x01234567； 对于(i=0；i < mem_size；i++) ｛ __addr32_write_uint32 (XMEM_p、mem_wdl)； XMEM_p = XMEM_p+2； MEM_wdl += 0x11111111； ｝ // //验证内存 // MEM_wdl = 0x01234567； XMEM_p = start_addr； 对于(i=0；i < mem_size；i++) ｛ MEM_rdl =__addr32_read_uint32 (XMEM_p)； if (mem_rdl！= mem_wdl) ｛ 返回(1)； } XMEM_p = XMEM_p+2； MEM_wdl += 0x11111111； ｝ 返回(0)； }
a)您是否在以100MHz 运行时尝试降低 SDRAM 时序参数的速度？ 可能只有一个或两个参数具有计时灵敏度。
是的、我一直在努力将所有计时寄存器(但不是 AppNote 中提到的 refresh_rate)增加到最大值、但仍然看到相同的响应。 下面是我为执行此测试而更改的内容：
emif1Regs.SDRAM_TR.bit.T_RFC = 0xF； emif1Regs.SDRAM_TR.bit.T_RP = 0x7； emif1Regs.SDRAM_TR.bit.T_RCD = 0x7； emif1Regs.SDRAM_TR.bit.T_WR = 0x7； emif1Regs.SDRAM_TR.bit.T_RAS = 0xF； emif1Regs.SDRAM_TR.bit.T_RC = 0xF； emif1Regs.SDRAM_TR.bit.T_RRD = 0x7； EMif1Regs.SDR_EXT_TMNG.bit.T_XS = 0x1F；
B)由于您能够以50MHz 的频率运行、并且您可以使用内存浏览器观察到问题、因此 EMIF 配置之外的代码可能不太相关。 如果您使用内存浏览器手动更改内存位置的内容、会发生什么情况？
当我使用内存浏览器手动更改内存位置的内容时、会发生以下情况：我更改的数据被镜像到所有内存位置(与我先前发送的第二次打印的行为相同)。
c)是的。 您是否通过观察 XCLKOUT 或 EMIF 时钟来确认 SYSCLK 真正以200MHz 运行？
是的、我可以确认使用 PWM 输出、并且我已经验证了 EMIF 时钟。 请看一下它以50MHz 和100MHz 的频率运行。
为了调试这个操作、可以执行什么操作？
恩里克
对于这些信号、我将推迟到 SDRAM 数据表中的命令真值表和波形：
Tommy
