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[参考译文] F28M36P63C2：闪存 ECC 自检中断问题

admin
Guru**** 2535450 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/597324/f28m36p63c2-problem-with-flash-ecc-self-test-interrupt

器件型号：F28M36P63C2

您好！

我正在为协奏曲器件实施 ECC 自检例程。 我按照数据表中的详细说明操作、但在进入中断"单个闪存错误"时遇到问题。 在分步调试中、即使在启用 ECC 测试模式时 PIEFR12被正确设置为2、程序也永远不会进入 ISR。 代码执行一直停留在无条件循环中。 请参阅随附的代码并提出建议。

#pragma DATA_SECTION (gFlashAECCTest、"FlashAECCTestFile")；
uint32_t gFlashAECCTest；

#pragma DATA_SECTION (gFlashBECCTest、"FlashBECCTestFile")；
uint32_t gFlashBECTEST；

systemControlError_t testFlashECCLogic (const uint32_t * address、const eccFlashTestType_t testType)｛
   CHAR ECC；

   /*第5.3.10.3节中详述的准则*/
   EALLOW；
   ECC = Fapi_calculateEcc ((uint32_t)(address)<< 1、(uint64) 0x0000000000000000)；
   FlashEccRegs.ERR_THRESHOLD.bit.ERR_THRESHOLD = 1；/*不能为0 -请参阅器件勘误表*/
   FlashEccRegs.FADDR_TEST.bit.ADDR =(testType = test_address_single_bit)？ (uint32_t)(address)^ 0x1：(uint32_t)(address)；
   FlashEccRegs.FDATAH_TEST =(testType = TEST_DATA_SINGLE_BIT)？ 0x00000001：0x00000000；
   FlashEccRegs.FDATAL_TEST =(testType = TEST_DATAL_SINGLE_BIT)？ 0x00000001：0x00000000；
   FlashEccRegs.fecc_test.bit.ecc =(testType = test_ecc_single_bit)？ ECC ^ 0x1：ECC；
   FlashEccRegs.FECC_CTRL.bit.ECC_SELECT =(testType = test_DATA_Single_bit)？ 0：1；
   FlashEccRegs.FECC_CTRL.bit.ECC_TEST_EN = 1；
   EDIS；

   asm (" NOP")；

   EALLOW；
   FlashEccRegs.FECC_CTRL.bit.ECC_TEST_EN = 0；
   FlashEccRegs.ERR_CNT.bit.ERR_CNT = 0；
   EDIS；

   返回 SYS_CTL_NO_ERROR；
｝

systemControlError_t testFlashBank (const uint32_t *地址)｛
   systemControlError_t ret；

   if ((ret = testFlashECCLogic (address、test_address_single_bit))< 0) return；
   if ((ret = testFlashECCLogic (address、test_DATA_Single_bit))< 0) return；
   if ((ret = testFlashECCLogic (address、test_DATA_single_bit))< 0) return；
   if ((ret = testFlashECCLogic (address、test_ecc_single_bit))< 0) return；

   返回 SYS_CTL_NO_ERROR；
｝

systemControlError_t flashSelfTest (void)｛
   systemControlError_t ret；

   enableFlashECC()；
   if ((ret = testFlashBank (&gFlashAECCTest))< 0) return；
   if ((ret = testFlashBank (&gFlashBECCTest))< 0) return；

   返回 SYS_CTL_NO_ERROR；
｝

systemControlError_t 初始化 ECC (void)｛
   systemControlError_t 错误；

   /*直接中断信号到 ISR */
   EALLOW；
   PieVectTable.CFLSINGERR =&flashSingleError；
   PieVectTable.CRAMSINGERR =斜升错误(ramSingleError)；
   EDIS；

   //启用 PIE
   PieCtrlRegs.PIECTRL.bit.ENPIE = 1；

   PieCtrlRegs.PIEIER12.bit.INTx2 = 1；   //启用 PIE 组12 INT2 (闪存单个错误)
   PieCtrlRegs.PIEIER12.bit.INTx4 = 1；   //启用 PIE 组12 INT4 (RAM 单错误)

   PieCtrlRegs.PIEACK.all = M_INT12；//启用 PIE 中的嵌套
   asm (" NOP")；//等待 PIEACK 退出流水线参考 使用说明勘误表 SPRZ272H

   IER |= M_INT12；

   //启用全局中断和更高优先级的实时调试事件：
   EINT；  //启用全局中断 INTM
   ERTM；   //启用全局实时中断 DBGM

   //首先，我们验证 ECC 模块“SECDED”是否正常工作
   //我们将 RAM 置于测试模式并注入一些错误...
  // if ((err = RAMECCSelfTest ()< 0)｛
  //   DINT；  //禁用全局中断 INTM
  //   DRTM；   //禁用全局实时中断 DBGM
  //   返回错误；
  //｝

   if ((err = flashSelfTest())<0)｛
      DINT；  //禁用全局中断 INTM
      DRTM；   //禁用全局实时中断 DBGM
      退货错误；
   ｝

   DINT；  //禁用全局中断 INTM
   DRTM；   //禁用全局实时中断 DBGM

   返回 SYS_CTL_NO_ERROR；
｝

中断空 flashSingleError (void)｛
   EALLOW；
   gFlashECCSingleErrorAddress = FlashEccRegs.Single_ERR_ADDR；
   gFlashECrorStatus = FlashEccRegs.ERR_STATUS.all；
   gFlashECrrorPositionReg = FlashEccRegs.ERR_POS.ALL；
   gFlashCorrectedErrorCounter++；
   FlashEccRegs.FECC_CTRL.bit.ECC_TEST_EN = 0；
   EDIS；
｝

我的 cmd 文件：

  FlashAECCTestFile                ：> FLASHA、                PAGE = 0、         ALIGN (4)
  FlashBECCTestFile                ：> FLASHB、                PAGE = 0、         ALIGN (4)

  • 0
    TI__Guru**** 2535450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Cedric、

    我写信告诉您、C2000团队成员已被分配到您的职位、应该马上回答。

    肖恩
  • 0
    TI__Guru**** 2535450 points
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    Cedric、

    您是从 RAM 还是闪存执行此代码？

    您的代码停留在什么无条件循环中？  是否可以附加快照？

    谢谢、此致、

    Vamsi

  • 0
    TI__Guru**** 2535450 points
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    Cedric、

    我在您的代码中注意到的几件事：

    1、ECC_SELECT 的值应该根据地址而不是数据来分配。  

      如果地址属于128位对齐存储器位置的低64位、则 ECC_SELECT 应为0。  

      如果地址属于128位对齐存储器位置的高64位、则 ECC_SELECT 应为1。

      例如：

      如果地址为0x100000、ECC_SELECT 应该为0。

      如果地址为0x100004、则 ECC_SELECT 应为1。

    FDATAH_TEST 和 FDATAL_TEST 寄存器一起为给定地址的 ECC 逻辑提供64位数据。

      例如、如果地址为0x100000、

      FDATAL_TEST 应使用地址0x100000和0x100001 (32位格式)的数据进行初始化

      FDATAH_TEST 应使用地址0x100002和0x100003的数据进行初始化。

    3. 当您进行分步调试时，启用 ECC 测试模式后，您可能不会立即进入 ISR。  进入 ISR 需要几个周期。  如果您不等待 ISR、而是继续下一轮 ECC 测试、ECC 寄存器可能会更新为新的错误详细信息。  因此、在启用 ECC 测试模式后、不要进入下一轮 ECC 测试、而是在循环中等待一个变量在 ISR 中更新。  清除 ISR 中的 ECC_TEST_EN 位和 ERR_CNT。 请参阅下面的示例。  

    //为 ECC 评估选择低64位并启用 ECC 测试模式
//
FlashEccRegs.FECC_CTRL.bit.ECC_SELECT = 0；
FlashECCRegs.FECC_CTRL.bit.ECC_TEST_EN = 1；

//等待单位中断 ISR 被处理
//
while (SingleInterruptISRTErraken！= 1)=
0；// SingleInterruptInterruptISR；

    ISR 可以是： 

    中断空 Flash_SingleError_ISR (空)
｛

EALLOW；
FlashSingleErrorISR_COUNT++；

FlashEccRegs.FECC_CTRL.bit.ECC_TEST_EN = 0；
FlashEccRegs.ERR_STATUS_CLR.bit.FAIL0CLR = 1；
FlashEccRegs.ERR_STATUS_CLR.bit.FAIL1CLR = 1；
FlashEccRegs.ERR_INTCLR.bit.Single_ERR_INTCLR = 1；
FlashEccRegs.ERR_CNT.bit.ERR_CNT = 0；

SingleErrptIntrISRTaken = 1；

PieCtrlRegs.PIEACK.ALL |= 0x800；//发出 PIE ACK

｝

    谢谢、此致、

    Vamsi

     

     

  • 0
    TI__Guru**** 2535450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Vamsi、

    感谢您的详细回答。 我的代码从闪存运行。 让我执行您的建议、我将与您联系、以便跟进。
  • 0
    TI__Guru**** 2535450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Vamsi、

    我对函数进行了一些修改、创建了一 个非法的 ISR 函数。 在   FlashEccRegs.FECC_CTRL.bit.ECC_TEST_EN = 1后、我进入非法的 ISR 函数耦合时钟周期；

    这是更新后的函数。

    systemControlError_t testFlashECCLogic (const uint32_t * address、const eccFlashTestType_t testType)｛
       CHAR ECC；
       uint64 testPattern = 0；
       gFlashSingleErrorISRTaken = false；

       /*第5.3.10.3节中详述的准则*/
       EALLOW；
       ECC = fapi_calculateEcc ((uint32_t)(address)<< 1、testPattern)；
       FlashEccRegs.ERR_THRESHOLD.bit.ERR_THRESHOLD = 1；/*不能为0 -请参阅器件勘误表*/
       FlashEccRegs.FADDR_TEST.bit.ADDR =(testType = test_address_single_bit)？ (uint32_t)(address)^ 0x1：(uint32_t)(address)；//通过切换一个位来破坏地址
       FlashEccRegs.FDATAH_TEST =(testPattern >> 32 & 0xFFFFFFFF)^(testType = TEST_DATA_SINGLE_BIT)？ 0x00000001：0x00000000；//通过切换一个位来损坏数据
       FlashEccRegs.FDATAL_TEST =(testPattern & 0xFFFFFFFF)^(testType = test_DATAL_single_bit)？ 0x00000001：0x00000000；//通过切换一个位来损坏数据
       FlashEccRegs.fecc_test.bit.ecc =(testType = test_ecc_single_bit)？ ECC ^ 0x1：ECC；//通过切换一个位来破坏 ECC
       //闪存存储器是128位对齐的。 如果传递的地址在64 MSB 中、则必须将 ECC_SELECT 设置为1、否则设置为0。
       FlashEccRegs.Fecc_CTRL.bit.ecc_select =((uint32_t)(地址)& 0x4)？ 1：0；
       FlashEccRegs.FECC_CTRL.bit.ECC_TEST_EN = 1；
       EDIS；

       while (！gFlashSingleErrorISRTaken)；

       返回 SYS_CTL_NO_ERROR；
    ｝

  • 0
    TI__Guru**** 2535450 points
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    根据该寄存器、它会产生不可纠正的错误、并按预期生成 NMI。 我的问题是、为什么...
  • 0
    TI__Guru**** 2535450 points
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    我将添加一个新的屏幕截图、以表示在询问 DATAL (TEST_DATA_SINGLE_BIT)时遇到的错误。 上面的屏幕截图是 地址失败(test_address_single_bit)导致的。 在 I step FlashEccRegs.FECC_CTRL.bit.ECC_TEST_EN = 1之后。

  • 0
    TI__Guru**** 2535450 points
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    Cedric、

    如 TRM 的第5.3.10.3节 SECDED 逻辑正确性检查中所述、 ECC 测试模式应与从 RAM 而非闪存执行的代码一同使用。  ECC 测试模式寄存器(FDATAH_TEST、FDATAL_TEST、FECC_TEST)与来自闪存的数据进行多路复用。 因此、启用 ECC 测试模式时、CPU 不应从闪存读取/提取数据。  

    启用此模式时要执行的任何代码都必须映射到.TI.ramfunc 段。  

    谢谢、此致、

    Vamsi  

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    TI__Guru**** 2535450 points
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    我将 ISR 和运行测试的函数移到了 RAM 中、但同样的问题仍然存在。 即使 PIEIEFR12设置为0x2、也不会触发任何 ISR。

    从输出文件：

    FlashSingleErrorRamFunc
    *         0   00139ec1   0000003a    运行 ADDR = 00008cb2
                     00139ec1   0000003a    libSystemControlC28x_F28M36x.lib：libSystemControlC28x.obj (flashSingleErrorRamFunc：retain)

    ramSingleErrorRamFunc
    *         0   00139efb   0000001f    运行 ADDR = 00008cec
                     00139efb   0000001f    libSystemControlC28x_F28M36x.lib：libSystemControlC28x.obj (ramSingleErrorRamFunc：retain)

    illegalISRRamFunc
    *         0   00139f1a   00000011    运行 ADDR = 00008d0b
                     00139f1a   00000011    libSystemControlC28x_F28M36x.lib：libSystemControlC28x.obj (illegalISRRamFunc：retain)

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    TI__Guru**** 2535450 points
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    Cedric、

    您能否随链接器中的更改一起附加最新代码？

    谢谢、此致、
    Vamsi
  • 0
    TI__Guru**** 2535450 points
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    您好、Vamsi、

    我明白了。 中断问题是由于我的 RAM 自检、在我将闪存 ISR 例程复制到闪存后、它清除了 RAM 内容。 现在一切都按预期工作。 谢谢。
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    TI__Guru**** 2535450 points
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    您好、Vamsi、


    现在、我的中断正常工作、但我不理解一些自检的结果。 我将使用以下例程自检闪存 ECC。 对于每个闪存组、我依次测试单个位地址错误、数据高单个位错误、数据低单个位错误和 ECC 单个位错误。 下面是我得到的结果、我用红色突出显示了我认为可疑的结果：

    • 地址0x0013E5C4 (FLASHA)：
      • test_address_single_bit：生成单错误闪存 ISR
      • TEST_DATA_Single_Bit：生成单错误闪存 ISR
      • TEST_DATA_Single_Bit：生成单错误闪存 ISR
      • TEST_ECC_SINGLE_BIT：生成不可纠正的错误 ISR (NMI)
    • 地址0x0013C000 (FLASHB)：
      • test_address_single_bit：生成单错误闪存 ISR
      • TEST_DATA_Single_Bit：生成单错误闪存 ISR
      • TEST_DATA_Single_Bit：生成不可纠正的错误 ISR (NMI)
      • TEST_ECC_SINGLE_BIT：生成不可纠正的错误 ISR (NMI)
    • 地址0x0013A000 (FLASHC)：
      • test_address_single_bit：生成单错误闪存 ISR
      • TEST_DATA_Single_Bit：生成不可纠正的错误 ISR (NMI)
      • TEST_DATA_Single_Bit：生成不可纠正的错误 ISR (NMI)
      • TEST_ECC_SINGLE_BIT：生成不可纠正的错误 ISR (NMI)
    • 地址0x00139F8C (FLASHD)：
      • TEST_ADDRESS_SINGLE_BIT：生成不可纠正的错误 ISR (NMI)
      • TEST_DATA_Single_Bit：生成不可纠正的错误 ISR (NMI)
      • TEST_DATA_Single_Bit：生成不可纠正的错误 ISR (NMI)
      • TEST_ECC_SINGLE_BIT：生成不可纠正的错误 ISR (NMI)
    • 地址0x00133180 (FLASHE)：
      • TEST_ADDRESS_SINGLE_BIT：生成不可纠正的错误 ISR (NMI)
      • TEST_DATA_Single_Bit：生成单错误闪存 ISR
      • TEST_DATA_Single_Bit：生成单错误闪存 ISR
      • TEST_ECC_SINGLE_BIT：生成不可纠正的错误 ISR (NMI)
    • 地址0x00128000 (FLASHF)：
      • TEST_ADDRESS_SINGLE_BIT：生成单错误闪存 ISR
      • TEST_DATA_Single_Bit：生成单错误闪存 ISR
      • TEST_DATA_Single_Bit：生成不可纠正的错误 ISR (NMI)
      • TEST_ECC_SINGLE_BIT：生成不可纠正的错误 ISR (NMI)


    对于其他扇区...

    代码如下：

    systemControlError_t testFlashECCLogic (const uint32_t * address、const eccFlashTestType_t testType)｛
       CHAR ECC；
       uint64 testPattern = 0；
       gFlashSingleErrorISRTaken = false；
       gFlashUncorrectableErrorISRTaken = false；

       /*第5.3.10.3节中详述的准则*/
       EALLOW；
       ECC = fapi_calculateEcc ((uint32_t)(address)<< 1、testPattern)；
       FlashEccRegs.ERR_THRESHOLD.bit.ERR_THRESHOLD = 1；/*不能为0 -请参阅器件勘误表*/
       FlashEccRegs.FADDR_TEST.bit.ADDR =(testType = test_address_single_bit)？ (uint32_t)(address)^ 0x1：(uint32_t)(address)；//通过切换一个位来破坏地址
       FlashEccRegs.FDATAH_TEST =(testPattern >> 32 & 0xFFFFFFFF)^(testType = TEST_DATA_SINGLE_BIT)？ 0x00000001：0x00000000；//通过切换一个位来损坏数据
       FlashEccRegs.FDATAL_TEST =(testPattern & 0xFFFFFFFF)^(testType = test_DATAL_single_bit)？ 0x00000001：0x00000000；//通过切换一个位来损坏数据
       FlashEccRegs.fecc_test.bit.ecc =(testType = test_ecc_single_bit)？ ECC ^ 0x1：ECC；//通过切换一个位来破坏 ECC

       //为 ECC 评估选择低64位并启用 ECC 测试模式
       FlashEccRegs.FECC_CTRL.bit.ECC_SELECT = 0；
       FlashEccRegs.FECC_CTRL.bit.ECC_TEST_EN = 1；//启用闪存测试模式
       EDIS；

       while (！gFlashSingleErrorISRT&&！gFlashUncorrectableErrorISRTaken)；

       返回 SYS_CTL_NO_ERROR；
    ｝

    systemControlError_t testFlashBank (const uint32_t *地址)｛
       systemControlError_t ret；

       if ((ret = testFlashECCLogic (address、test_address_single_bit))< 0) return；
       if ((ret = testFlashECCLogic (address、test_DATA_Single_bit))< 0) return；
       if ((ret = testFlashECCLogic (address、test_DATA_single_bit))< 0) return；
       if ((ret = testFlashECCLogic (address、test_ecc_single_bit))< 0) return；

       返回 SYS_CTL_NO_ERROR；
    ｝

    systemControlError_t flashSelfTest (void)｛
       systemControlError_t ret；

       memcpy (&flashSingleErrorRamFuncRunStart、&flashSingleErrorRamFuncpLoadStart、(size_t)&flashSingleErrorRamFuncLoadSize)；
       memcpy (&testFlashBankRamFuncRunStart、&testFlashBankRamFuncLoadStart、(size_t)&testFlashBankRamFuncLoadSize)；
       memcpy (&testFlashECLogicRamFuncRunStart、&testFlashECLogicRamFuncLoadStart、(size_t)&testFlashECLogicRamFuncLoadSize)；
       memcpy (&testMemoryUncorrectableErrorRamFuncRunStart、&testMemoryUncorrectableErrorRamFuncLoadStart、(size_t)&testMemoryUncorrectableErrorRamFunRamcLoadSize)；

       /*直接中断信号到 ISR */
       EALLOW；
       PieVectTable.CFLSINGERR =&flashSingleError；
       PieVectTable.NMI =&testMemoryUncorrectableError；
       EDIS；

       PieCtrlRegs.PIEIER12.bit.INTx2 = 1；   //启用 PIE 组12 INT2 (闪存单个错误)

       PieCtrlRegs.PIEACK.all = M_INT12；//启用 PIE 中的嵌套
       asm (" NOP")；//等待 PIEACK 退出流水线参考 使用说明勘误表 SPRZ272H

       IER |= M_INT12；

       //启用全局中断和更高优先级的实时调试事件：
       EINT；  //启用全局中断 INTM
       ERTM；   //启用全局实时中断 DBGM

       enableFlashECC()；
       if (((ret = testFlashBank ((uint32_t *)&gFlashAECCTest))< 0)｛
          DINT；  //禁用全局中断 INTM
          DRTM；   //禁用全局实时中断 DBGM
          回程；
       ｝

       if (((ret = testFlashBank ((uint32_t *)&gFlashBECCTest))< 0)｛
          DINT；  //禁用全局中断 INTM
          DRTM；   //禁用全局实时中断 DBGM
          回程；
       ｝

       if (((ret = testFlashBank ((uint32_t *)&gFlashCECCTest))< 0)｛
          DINT；  //禁用全局中断 INTM
          DRTM；   //禁用全局实时中断 DBGM
          回程；
       ｝

    [...]

    ｝

    //重路由 NMI ISR 以进行测试

    中断 void testMemoryUncorrectableError (void)｛
       ASM ("     ESTOP0")；
       EALLOW；
       gFlashECrorStatus = FlashEccRegs.ERR_STATUS.all；
       gFlashECrrorPositionReg = FlashEccRegs.ERR_POS.ALL；
       FlashEccRegs.FECC_CTRL.bit.ECC_TEST_EN = 0；
       FlashEccRegs.ERR_STATUS_CLR.bit.FAIL0CLR = 1；
       FlashEccRegs.ERR_STATUS_CLR.bit.FAIL1CLR = 1；
       FlashEccRegs.ERR_STATUS_CLR.bit.UNCHRCLR = 1；
       FlashEccRegs.ERR_INTCLR.bit.UNC_ERR_INTCLR = 1；
       FlashEccRegs.ERR_CNT.bit.ERR_CNT = 0；
       NmiIntruptRegs.NMIFLGCLR.bit.C28FLLUNCERR = 1；
       NmiIntruptRegs.NMIFLGCLR.bit.NMIINT = 1；
       EDIS；

       gFlashUncorrectableErrorISRTaken = true；
    ｝

    中断空 flashSingleError (void)｛
       EALLOW；
       gFlashCorrectedErrorCounter++；

       gFlashECCSingleErrorAddress = FlashEccRegs.Single_ERR_ADDR；
       gFlashECrorStatus = FlashEccRegs.ERR_STATUS.all；
       gFlashECrrorPositionReg = FlashEccRegs.ERR_POS.ALL；
       FlashEccRegs.FECC_CTRL.bit.ECC_TEST_EN = 0；
       FlashEccRegs.ERR_STATUS_CLR.bit.FAIL0CLR = 1；
       FlashEccRegs.ERR_STATUS_CLR.bit.FAIL1CLR = 1；
       FlashEccRegs.ERR_INTCLR.bit.Single_ERR_INTCLR = 1；
       FlashEccRegs.ERR_CNT.bit.ERR_CNT = 0；

       gFlashSingleErrorISRTaken = true；

       PieCtrlRegs.PIEACK.ALL |= M_INT12；
       EDIS；
    ｝

    感谢您的帮助！

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    Cedric、

    我之前尝试过 ECC 测试模式、它工作正常。  

    我今天可能无法检查您的代码。  几天后会回来。

    谢谢、此致、
    Vamsi  

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    Cedric、

    您能否共享写入 ECC 测试模式寄存器的实际值、而不是代码？
    这对我来说很容易分析。

    注：如 TRM 中所述、地址中的错误始终会生成不可纠正的错误、而不是单个位错误。

    谢谢、此致、
    Vamsi
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    您是否希望上面显示的每个案例的 FlashEccRegs 观察视图？
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    Cedric、

    请提供您在每种情况下用于以下寄存器的值。
    FECC_CTRL
    FADDR_TEST
    FDATAH_TEST
    FDATAL_TEST
    FECC_TEST

    谢谢、此致、
    Vamsi
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    您好、Vamsi、

    我已附上前8项结果的结果。 如果找不到趋势，我可以再添加一些趋势。

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    Cedric、

    我们的一名团队成员正在尝试使用您的数据复制结果。 将为您提供最新信息。

    谢谢、此致、
    Vamsi

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    Cedric、

    对于每个快照、您能否提供正确值(地址或数据或 ECC)等详细信息、以及您合并的错误是什么？ 如果没有此信息、我无法在测试寄存器配置上对齐以进行进一步调试。

    谢谢、此致、
    Vamsi

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    您好、Vamsi、

    屏幕截图显示了以下内容的顺序测试：

    • FLASHA、错误注入地址(良好地址为0x3E414)
    • FLASHA、错误注入数据 LSB (正确的数据为0)
    • FLASHA、错误注入数据 MSB (正确的数据为0)
    • FLASHA、ECC 中注入的错误(正确数据为0)
    • FLASHB、错误注入地址(良好地址为0x3C000)
    • FLASHB、错误注入数据 LSB (正确的数据为0)
    • FLASHB、错误注入数据 MSB (正确的数据为0)
    • FLASHB、ECC 中注入的错误(正确数据为0)

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    Cedric、

    考虑到以上列表中提到的第一个测试(FLASHA、错误注入地址-良好地址为0x3E414)、0x3E414是一个有效的闪存地址吗？ 请检查 TRM 中 FADDR_TEST 寄存器的说明(第5.4.4.13节 ECC 测试地址寄存器- FADDR_TEST)。  

    您是否考虑将0x13E414作为正确的地址？  如果是、则必须将地址左移1位并在 FADDR_TEST 寄存器中写入0x27C828。

    此外、您可能已经在 TRM 中注意到"当从组获取的64个数据位和相关 ECC 位全部为1或0时、将绕过 ECC 逻辑。"

    希望这对您有所帮助。

    谢谢、此致、
    Vamsi

      

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    您好、Vamsi、

    感谢您的说明。 如果我从闪存 API 调用 fapi_remapEccAddress()，我似乎得到了正确的行为。 此外、另一个奇怪的现象是、Fapi_calculateEcc 返回的 ECC 值始终为0。 在此之前，我已经调用了函数 Fapi_initializeAPI()，并将整个 Fapi 复制到 RAM。
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    因此我认为我已经解决了我的问题：Fapi_calculateEcc()返回0。 需要定义符号_Concerto，现在它将返回非零值。 (我包含了 F021.h 而不是 F021_Concerto C28x.h)。
    此外、是的、我传递的地址属于 FLASHA、为0x13E414。 当我将该地址馈送到 Fapi_remapEccAddress()时，我得到0xFFFFFFE 作为返回值。 我可能会误解此函数的用途。

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    另一个问题，我是否必须使用 FADDR_TEST.ALL 或 FADDR_TEST.bit.ADDR？
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    好的，它现在可以工作了，问题是我是用 FADDR_TEST.bit.ADDR 而不是.all 写入... 正如您提到的，测试模式需要不同于0和 FFFF ....

    感谢 Vamsi 和团队的帮助！
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    Cedric、

    如果只对 ADDR 位域执行写操作、则需要丢弃 TRM 寄存器说明中提到的地址的3个最低有效位。

    很高兴现在一切都正常。

    谢谢、此致、
    Vamsi
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    是的、当我在数据表中看到它时、我就会发现它！ )
    再次感谢所有的支持！ 我希望这能为他人服务！