[参考译文] ISO5451：驱动HV MOSFET

熊晓峰，您好！

感谢您的回复。

我还有几个问题要问：

-在我的系统中，VDC_plus为3 kV，此驱动器IC是否正常？

-使用高电压MOSFET而不是IGBT时，我需要考虑哪些方面？

此致

尼克

您好，Nick：

1.如果您能与我们分享您的原理图，我们可以在这一点上进行更好的评估。 对于工作电压较高的系统，ISO5851是更好的选择。

2.在ISO5451/ISO5851中5851中，VCC2具有欠压锁定功能。 阈值为12伏。 也就是说，VCC2的供电电压需要高于12伏，以便驾驶员正常工作。 我们建议使用15 V min来实现更稳健的操作。 一般而言，MOSFET的切换速度较IGBT为高。 因此，在进行PCB布局时，需要对噪声耦合器采取预防措施。

谨致问候，

熊

熊晓峰，您好！

感谢您的回复。

1.请参阅随附的草图。 我们需要将高压电源的输出与电容器充电电路隔离，最大输出电压为3 kV，平均输出电流约为0.6 A。我们计划使用HV MOSFET，例如IXYS零件号IXTF1N450

2.我们有一个隔离电源供应VCC2，我们在电压方面有一定的灵活性(例如 15V/18V/24V)

此致

尼克

您好，Nick：

ISO5451/ISO5851不5851不适合系统电压为3kVDC的应用。 限制主要在于包装的爬电距离和间隙距离。 能否展示系统中接地的连接方式？ 您是否知道栅极驱动器需要哪种隔离？ 基本，强化或功能？ 我们可以根据隔离要求为您提供一些离散解决方案(数字隔离器+非隔离栅极驱动器)。  

谨致问候，

熊

熊晓峰，您好！

感谢您的电子邮件。

我们可以在IC下方的PCB中添加一个切口插槽，如果这有助于爬电距离？ 或者，这更多地与IC本身的整个车身跟踪有关吗？

接地连接至HV PSU的负极端子，请参阅下文。

此致

尼克

您好，Nick：

您认为爬电距离会受到驱动器IC的封装限制是正确的。 要支持3kV直流系统，最小爬电距离必须为10 mm。 但是，它是ISO5851/ISO5451的5451的8 mm。

在TI，我们拥有数字隔离器ISO7821DWW，它可以支持高达3kVDC的系统。 ISO7821DWW +低侧驱动器的独立解决方案是否适合您？

谨致问候，

熊

你好，熊

大家都同意爬电距离，很遗憾没有更大的封装和更宽的主体。

离散解决方案是好的，但我们需要切换高侧，而不是低侧。

听起来您可能没有合适的东西？

此致

尼克

您好，Nick：

您是否考虑使用两个串联隔离屏障来获得更高的隔离等级？ 如果是，我建议您串联使用TI的ISO7821DW和ISO5852SDW。 值得一提的是，需要使用两个独立的电源。 我还要求Jani给您打电话，以确保您的问题得到解决。

谨致问候，

熊

你好，熊

感谢您的电子邮件。

此解决方案是否支持3 kV的工作电压？

此致

尼克

您好，Nick：

是的。 它可以支持3kV的工作电压。

谨致问候，

熊