[参考译文] ISO5451：驱动HV MOSFET

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Other Parts Discussed in Thread: ISO5451, ISO5851

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/635222/iso5451-driving-hv-mosfet

部件号：ISO5451
主题中讨论的其他部件： ISO5851

您好，我希望使用ISO5451 (或类似产品)驱动高电压MOSFET (例如 IXTF1N400)和我有以下问题：

1.使用ISO5451驱动MOSFET而不是IGBT时，需要注意哪些差异？数据表中没有完全清楚这一点。

2.我的MOSFET将作为"浮动"高侧开关连接(即，未参考接地)，是否可以通过ISO5451进行连接？

谢谢

尼克

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 1983025 points

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您好，Nick：

欢迎使用e2e，感谢您对我们设备的关注！

看到IXYS零件的电压为4000V，我有点惊讶！

您可能需要注意这样一个高电压FET的切换速度。如果切换速度过快，dv/dt可能会损坏驱动程序。

您当然可以将ISO5451用作高侧驱动器。诀窍是为其提供电源。您可以使用bootstrap或隔离的供应来完成此任务。您可能需要研究此TI设计，以了解一种推荐的方法。

如果您还有其他问题，请告知我们！

0 admin 7 年多前

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你好Don

感谢您的快速回复。

我们切换设备的速度真的很慢，以秒为单位，所以希望dv/dt不会损坏驱动程序。但是，如果您认为为驾驶员提供额外保护是谨慎的做法，请告诉我。

是的，我的计划是使用隔离电源(18V或24V)并将其连接到输出驱动器电源引脚(VCC2)。

您是否打算包括“此TI设计”的URL或超链接？因为我看不出来你在这里指的是什么。

此致
尼克

0 admin 7 年多前

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您好，Nick：

请参阅TI Design TIDA www.ti.com/.../tiduc70a.pdf。如有任何疑问，请告知我们。

谨致问候，
熊

0 admin 7 年多前

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您好，Nick：

另请参阅TIDA0.0195万了解更多信息。www.ti.com/.../TIDA-0.0195万

谨致问候，
熊

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 1983025 points

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熊晓峰，您好！

感谢您的回复。

我还有几个问题要问：

-在我的系统中，VDC_plus为3 kV，此驱动器IC是否正常？

-使用高电压MOSFET而不是IGBT时，我需要考虑哪些方面？

此致

尼克

0 admin 7 年多前

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您好，Nick：

1.如果您能与我们分享您的原理图，我们可以在这一点上进行更好的评估。对于工作电压较高的系统，ISO5851是更好的选择。

2.在ISO5451/ISO5851中5851中，VCC2具有欠压锁定功能。阈值为12伏。也就是说，VCC2的供电电压需要高于12伏，以便驾驶员正常工作。我们建议使用15 V min来实现更稳健的操作。一般而言，MOSFET的切换速度较IGBT为高。因此，在进行PCB布局时，需要对噪声耦合器采取预防措施。

谨致问候，

熊

0 admin 7 年多前

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熊晓峰，您好！

感谢您的回复。

1.请参阅随附的草图。我们需要将高压电源的输出与电容器充电电路隔离，最大输出电压为3 kV，平均输出电流约为0.6 A。我们计划使用HV MOSFET，例如IXYS零件号IXTF1N450

2.我们有一个隔离电源供应VCC2，我们在电压方面有一定的灵活性(例如 15V/18V/24V)

此致

尼克

0 admin 7 年多前

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您好，Nick：

ISO5451/ISO5851不5851不适合系统电压为3kVDC的应用。限制主要在于包装的爬电距离和间隙距离。能否展示系统中接地的连接方式？您是否知道栅极驱动器需要哪种隔离？基本，强化或功能？我们可以根据隔离要求为您提供一些离散解决方案(数字隔离器+非隔离栅极驱动器)。

谨致问候，

熊

0 admin 7 年多前

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熊晓峰，您好！

感谢您的电子邮件。

我们可以在IC下方的PCB中添加一个切口插槽，如果这有助于爬电距离？或者，这更多地与IC本身的整个车身跟踪有关吗？

接地连接至HV PSU的负极端子，请参阅下文。

此致

尼克

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 1983025 points

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您好，Nick：

您认为爬电距离会受到驱动器IC的封装限制是正确的。要支持3kV直流系统，最小爬电距离必须为10 mm。但是，它是ISO5851/ISO5451的5451的8 mm。

在TI，我们拥有数字隔离器ISO7821DWW，它可以支持高达3kVDC的系统。 ISO7821DWW +低侧驱动器的独立解决方案是否适合您？

谨致问候，

熊

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 1983025 points

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你好，熊

大家都同意爬电距离，很遗憾没有更大的封装和更宽的主体。

离散解决方案是好的，但我们需要切换高侧，而不是低侧。

听起来您可能没有合适的东西？

此致

尼克

0 admin 7 年多前

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您好，Nick：

您是否考虑使用两个串联隔离屏障来获得更高的隔离等级？如果是，我建议您串联使用TI的ISO7821DW和ISO5852SDW。值得一提的是，需要使用两个独立的电源。我还要求Jani给您打电话，以确保您的问题得到解决。

谨致问候，

熊

0 admin 7 年多前

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你好，熊

感谢您的电子邮件。

此解决方案是否支持3 kV的工作电压？

此致

尼克

0 admin 7 年多前

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您好，Nick：

是的。它可以支持3kV的工作电压。

谨致问候，

熊

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