主题中讨论的其他部件: ISO5851
您好,我希望使用ISO5451 (或类似产品)驱动高电压MOSFET (例如 IXTF1N400)和我有以下问题:
1.使用ISO5451驱动MOSFET而不是IGBT时,需要注意哪些差异? 数据表中没有完全清楚这一点。
2.我的MOSFET将作为"浮动"高侧开关连接(即,未参考接地),是否可以通过ISO5451进行连接?
谢谢
尼克
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您好,我希望使用ISO5451 (或类似产品)驱动高电压MOSFET (例如 IXTF1N400)和我有以下问题:
1.使用ISO5451驱动MOSFET而不是IGBT时,需要注意哪些差异? 数据表中没有完全清楚这一点。
2.我的MOSFET将作为"浮动"高侧开关连接(即,未参考接地),是否可以通过ISO5451进行连接?
谢谢
尼克
您好,Nick:
1.如果您能与我们分享您的原理图,我们可以在这一点上进行更好的评估。 对于工作电压较高的系统,ISO5851是更好的选择。
2.在ISO5451/ISO5851中5851中,VCC2具有欠压锁定功能。 阈值为12伏。 也就是说,VCC2的供电电压需要高于12伏,以便驾驶员正常工作。 我们建议使用15 V min来实现更稳健的操作。 一般而言,MOSFET的切换速度较IGBT为高。 因此,在进行PCB布局时,需要对噪声耦合器采取预防措施。
谨致问候,
熊