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通过 motorSpeed1和 motorSpeed2、如何确定当前电机的速度？
您好！
感谢您的提问！
该小组不在办公室。 请于12月28日回复。
谢谢、
Matt
MotorSpeed1包含8个最高有效位、而 MotorSpeed2包含8个最低有效位。
电机速度(Hz)= ｛MotorSpeed1：MotorSpeed2｝/ 10。
例如、请考虑以下内容： MotorSpeed1 = 0x01； MotorSpeed2 = 0xFF； 电机转速(Hz)= 512 (0x01FF)/ 10 = 51Hz
此致、
Vishnu
电机速度(以 Hz 为单位)是电速度。 如果您需要以 rpm 为单位的机械速度、请使用以下公式。
电机转速(rpm)= 60*电机转速(Hz)/极对
DRV10983车辆级别使用问题：为非车辆级别配置的参数被移植到车辆级别、电机正常启动、但在几圈后停止、然后在旋转后再次停止。这种现象应该是哪个模块、哪个寄存器存在问题？配置寄存器如下
你好！
您能告诉我们您使用的是哪种器件吗？ 如果是 DRV10983、则您编程的寄存器组错误。 您共享的寄存器适用于 DRV10983-Q1。 此外、根据数据表中的推荐应用表(表36)、电机的电感太低。 使用 DRV10983-Q1以更高的速度旋转低电感电机可能会出现问题。 如果您使用的是 DRV10983-Q1、那么您能否读取故障寄存器(地址：0x00)并告诉我们触发了什么故障？ 如果您使用的是 DRV10983、请读取寄存器地址0x1E 以了解故障。
1、如何配置此芯片的 EEPROM？是否可以更详细地说明内容、如影子寄存器？
2.在最后的答覆中、汽车标准芯片不适合高速和低电感电机。 低电感和高电感之间的分频线是什么？
3、10983芯片无法配置 EEPROM、10983Q 也可以启用、只能在参数配置寄存器中启用电机参数配置吗？
4、我的配置是附加的。 请帮助我根据我的电机和使用情况进行合理配置
我仍然不确定您使用的是 DRV10983还是 DRV10983-Q1。 如果您使用的是 DRV10983、请参阅 数据表中的第8.3.5节 、了解有关如何对 EEPROM 进行编程的说明。 如果您使用的是 DRV10983-Q1、请参阅 数据表中的第8.3.6节。 我不确定您的意思是"内容"。 如果您要查找寄存器内容、请参阅数据表中的寄存器映射部分。
2. DRV10983-Q1和 DRV10983可支持的最小相位间电感建议值为0.07mH。 数据表中有一个拼写错误。 很抱歉。 DRV10983-Q1和 DRV10983应能让您的电机正常运转。
如#1所述、请 参阅 数据表中的第8.3.5节 、了解如何在 DRV10983中对 EEPROM 进行编程的说明。 在 DRV10983-Q1中、寄存器0x90至0x96是可配置并保存在 EEPROM 存储器中的寄存器。
4.您是否附加了寄存器配置(.csv)文件？ 很抱歉、我找不到。 您可以重新上传吗？
我使用10983Q。 至于 I2C 问题、请提供该芯片的特定 I2C 时序。
I2C 通信不成功、所以读出的数据是错误的。官方提到 I2C 的时序吗？2、如何分析传输将会停止问题。3 车系和非车系的区别、手册第30页的 I2C 最大值为511。 读回的实际值高于手册中的值。
有关 I2C 协议的读写操作的详细信息、请参阅数据表中的第8.5.1节。 您是否遵循了数据表第8.3.6节中提到的所有步骤？ kΩ、对于 I2C 接口端口 SCL 和 SDA、我们建议使用4.7k Ω 至3.3V 的上拉电阻器。
511是可在速度命令寄存器中编程的十进制最大 I2C 速度代码。 这对应于100%占空比。 511不是实际速度。 在511时、占空比为100%、电机预计将以全速旋转。
Vishnu。
首先、硬件电路是按照芯片手册设计的、没问题。其次、请给我一些关于我们将使用的电机配置的建议。最后、当电压不超过22V 时、10983可以直接配置到11000000寄存器 EECTRL 中、 因此、保留 EEPROM 是不切实际的。是否可以像这样直接设置10983Q？如果可能、请告诉我哪个10983Q 寄存器具有此功能。
drv10983_write_reg (0x60、0x8000)；
drv10983_write_reg (0x31、0x0000)；
drv10983_WRITE_reg (0x31、0xC0DE)；
drv10983_WRITE_reg (0x32、0x0001)；
drv10983_write_reg (0x90、0x31C9)；
drv10983_write_reg (0x91、0x0B00)；
drv10983_WRITE_reg (0x92、0x3FC2)；
drv10983_WRITE_reg (0x93、0x01B1)；
drv10983_write_reg (0x94、0xFFFF)；
drv10983_write_reg (0x95、0xBD40)；
drv10983_write_reg (0x96、0x7E68)；
drv10983_write_reg (0x35、0x0006)；
drv10983_write_reg (0x35、0x0002)；
drv10983_write_reg (0x60、0x0000)；
这些配置符合8.3.6的要求、但其效果是电机无法启动。电机可以10983驱动、因此电阻和 BEMF 的值是正确的。请建议对上述配置进行正确的修改
下面是对 EEPROM 进行批量写入的步骤。
在工作电压范围(6.2V 至28V)内的任何电压下加电 2.(仅限 DRV10983Q)退出睡眠状态 3.等待10ms 写入寄存器0x60来设置 MTR_DIS = 1；这将禁用电机驱动器。 5.向寄存器0x31写入0x0000以清除 EEPROM 访问代码 6.向寄存器0x31写入0xC0DE 以启用对 EEPROM 的访问 7、读取寄存器0x32以了解 ReadyStatus = 1 8、用例 A：批量写入 a.写入所有单独的影子寄存器 a.向寄存器0x90 (CONFIG1)写入 CONFIG1数据 B..
c.向寄存器0x96 (CONFIG7)写入 CONFIG7数据
b.将以下内容写入寄存器0x35
A. ShadowImage = 0
b. eeRefresh = 0
C. eeWRnEn = 1.
D. EEPROM 访问模式= 10
c.等待寄存器0x32 eeReadyStatus = 1–EEPROM 现在更新为影子寄存器的内容。
在第7节中、您应该正在读取 EEReadyStatus = 1的寄存器0x32、但我看到您正在写入同一个寄存器。 在步骤8.B 之后、您是否读取0x32以检查 eeReadyStatus 是否= 1？ 同样、在批量读取期间、在步骤9.B 之后、是否读取0x32以检查 ReadyStatus 是否为1？
只需检查一下您是否有任何更新即可。
我们根据手册中的顺序进行了更改、但仍然无法实现轮换。我希望您可以直接提供一名技术人员、他们可以通过电话和其他方式直接与我沟通、以帮助我们。
您能否具体说明您现在看到的问题？
在10983配置中、我可以通过配置地址0x03直接配置寄存器中的数据。我希望10983Q 也能够直接配置寄存器中的数据、而无需考虑 EEPROM 编程。
EEPROM 编程、不知道如何使用、不知道如何使用。
您能否检查步骤7 (读取寄存器0x32以查看 eeReadyStatus = 1)并告诉我们您是否能够将 eeReadyStatus 读取为1？
否、根据手册、我可以下载数据、但不能读取数据。
您能否向我推荐一位可以与我交谈的工程师？通过电子邮件进行生产的时间太晚了。
我已向您发送了一封私人邮件。 请回复。 谢谢。
你好吗？
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最好是在工作日，从星期一到星期五的北京时间。
谢谢。 请查看您的收件箱。
好的
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