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[参考译文] BQ25798:无声道电流

Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25798
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1507018/bq25798-no-chanrging-current

器件型号:BQ25798

工具/软件:

您好:

  未发现故障时、BQ25798不会为电池充电。

  一切正常、REGN = 5V、VBAT = 11.4V、VBUS = 12V、VSYS = 11.13V、PMID = 12V  STAT = 0V 时、我已将 ICHG 设置为1.5A、但总线或 BAT 中没有电流。

  我从寄存器中读取了寄存器:1B=0x0F、1C=0X6A、1D=0x01、1E~21=0x00、 这应该意味着没有故障吗?

  我还会读取 REG01=12.6V、REG03=1.5A、就像我编程的那样。

  这是我的原理图和 PCB。  

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    您好、Hongyu、

    感谢您对此有耐心。 我们将检查您的原理图和布局、并在本周晚些时候再回来联系您。

    此致、
    Ethan Galloway

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    尊敬的 Hongyu:

    在原理图中、我没有看到 BAT 引脚上所需的最小电容。  哦、等一下、BAT 是否短接至 SDRV?  如果未使用、现在建议通过1000pF 电容器将 SDRV 短接至 GND。  充电器仍正常工作、但充电电流可能会低于预期设置。   

    它看起来遵循 d/s 建议。

    您能否读取寄存器0x0F 来查看器件是否由于检测到的故障而进入高阻态模式?  否则、充电器转换器是否按 SW1和 SW2上的所示进行开关?  如果取出电池并将 CE 拉至高电平、充电器是否会将 SYS 调节至 MINSYS?

    此致、

    Jeff

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    尊敬的 Jeff:

    我固定了 PCB、 现在通过一个1nF 电容器将 SDRV 连接到 GND。

    REG0F=0xA2、未处于高阻态模式。   由于 SW1 = 3.7V、SW2 = 3.7V、BTST1 = 4.5V、BTST2 = 4.5V (未找到波形)、充电器转换器似乎不进行开关操作。

     移除电池并将 CE 拉至高电平后、SYS 仅为3.37V、远低于 MINSYS。

    此致、

    Hongyu

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    尊敬的 Hongyu:

    为 VBUS 加电时、PMID 上是否会出现相同的电压?  REGN 输出是否为~5V?

    此致、

    Jeff

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    尊敬的 Jeff:

    是、PMID = 12V、几乎= VBUS。 且 REGN=5V。 但  转换器似乎没有进行开关。

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    尊敬的 Hongyu:

    REG0x1B-0x27的状态和故障寄存器报告什么?  TS 引脚上的电压是多少?

    此致、

    Jeff

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    尊敬的 Hongyu:

    请记住、故障寄存器在被读取后被清除。  因此请只执行一次读取。

    此致、

    Jeff

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    尊敬的 Jeff:

    这是我的代码:

      HAL_delay (500);// ms
      DAT = 0x08
      HAL_I2C_I2C Mem_Write (&hi2c10xd60x10、1、&dat10x10);//看门狗关闭
      dat2[1]= 150
      HAL_I2C_I2C Mem_Write (&hi2c10xd60x03、1dat2、 20x10);// ICHG 1.5A
      DAT = 0x37
      HAL_I2C_I2C Mem_Write (&hi2c10xd60x141、&dat10x10);//对 OCP 进行放电
      DAT = 0x55
      HAL_I2C_I2C Mem_Write (&hi2c10xd6、0x181、&dat10x10);//忽略 TS
      DAT = 0x88
      HAL_I2C_I2C Mem_Write (&hi2c10xd6、0x2E、1、&dat10x10);// ADC 16BIT
      HAL_delay (1000);// ms
      HAL_I2C_MPT_(&hi2c10xd6、0x1B、1、Mem_Read struct.status130x10);
    当未连接 BAT 时、 MPPT_STRUCT.STATUS 打印为:

    [14:03:36.816] 1b= f
    [14:03:36.817] 1C=2a
    [14:03:36.817] 1d = 0
    [14:03:36.818] 1E=10
    [14:03:36.818] 1F=10
    [14:03:36.819] 20= 0
    [14:03:36.819] 21= 0
    [14:03:36.820] 22=af
    [14:03:36.820] 23=92
    [14:03:36.821] 24=50
    [14:03:36.822] 25=10
    [14:03:36.822] 26= 0
    [14:03:36.823] 27= 0
    我注意到、此时 BQ25798在 VSYS 上输出5.6V 电压(此时总线电压约为12V 0.1A)、但仍然低于 VSYSMIN。
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    然后、我连接了 BAT、IBUS 立即消失(从0.1A 变为0)。 再次读取 REG:

    [15:52:00.265] 1B= f

    [15:52:00.265] 1C=6a

    [15:52:00.266] 1d = 1

    [15:52:00.267] 1E= 0

    [15:52:00.267] 1F= 0

    [15:52:00.268] 20= 0

    [15:52:00.268] 21= 0

    [15:52:00.269] 22= 0

    [15:52:00.269] 23=82

    [15:52:00.270] 24=10

    [15:52:00.271] 25= 0

    [15:52:00.271] 26= 0

    [15:52:00.272] 272= 0

    然后我移除 BAT、IBUS 不会再次出现。

    然后  关闭并打开 VBUS、 IBUS 不会再次出现。

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    尊敬的 Jeff:

    我刚刚注意到、当我缓慢地将 VBUS 从3V 上升到~ 8V 时、在 VSYS 下我可以获得~5V 的电压(总线约为8V 0.12A)、能力约为1W。

    SW1和 SW2处的波形:

    但当 VBUS 变为更高电压(例如10V)时、VSYS 再次变为~3.3V (无 IBUS、无开关)。

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    尊敬的 Hongyu:

    寄存器读取正常。 200mV 刻度是否正确?  SW1最大电压应与输入电压相同。  底部波形形状(SW2?) 看起来不正确。  我认为电路板组装有问题。 您能否为电路板断电并使用万用表测量 VBUS、PMID、SW1、SW2、REGN SYS 和 BAT 接地?

    此致、

    Jeff

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    尊敬的 Jeff:

    抱歉、标度应为2V。

    BTST2不仅是 SW2、看起来也很奇怪。 频率也是错误的。

    GND 电阻:VBUS=1.2k、PMID=2.5M、SW1=5.6M、SW2=6M、REGN=5.5k、 SYS~51M、BAT~多个 MOhm。(我不确定、电阻会不断变化)

    我已经解决了这些 Rs、Cs 和 BQ25798几次,但这似乎不起作用...

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    您能否测量 BTST2接地电阻?  如果测量高电阻、能否替换 BTST2上的47nF?

    此致、

    Jeff

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    尊敬的 Jeff:

    感谢您的耐心! 我买了一个新的 BQ25798并替换了旧的。 现在它可以正常工作。

    也许我以前的一些行动破坏了它。