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[参考译文] TPS23753A：非隔离式 PoE 24V 输出

admin
Guru**** 2380860 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1511129/tps23753a-non-isolated-poe-24v-output

器件型号：TPS23753A

工具/软件：

您好、

根据上一主题讨论如何修改设计以实现24V 输出、可在以下链接中找到该主题：


e2e.ti.com/.../tps23753a-how-to-design-for-non-isolated-具有24V-0-5a 输出的 poe


我已根据您的建议尝试修改 PMP40355、通过更改以下元件来实现24V 输出：

  • U5至 AS431

  • R30至35.7K

  • 更准确

  • R13至4K

  • L2至330uH

但是、我对您的说明有点困惑："相应地调整 D2、D2缓冲器、输出电容器、使其具有更高的额定电流。"
您能否澄清一下这些组件中究竟应该调整什么？

此外、我找不到以下组件的实际值。 您能告诉我他们的规格吗？

  • 问题1

  • 问题9.

  • 问题10.

  • D2

  • D7

我的目标是实现24V 0.5A 输出。
如果我需要对设计进行任何其他修改才能实现这一点、感谢您的指导。

  • 0
    TI__Guru**** 2380860 points
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    尊敬的 Romi：

    感谢您联系我们！ 我们将调查您的问题、并在2-4个工作日内回复您。

    此致、

    DIAN

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    您好,感谢您的答复。 当然、我很高兴等待您的答复。

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    尊敬的 Romi：

    将缓冲电路 C13调整为100V 额定值。 您 现在可以保持 R3和 C13的值相同、并在测试期间进行相应调整、以获得可接受的纹波  

    Q1、Q9、Q10：您可以使用 额定值为80V 的 MMBTA56LT1G 和 MMBTA06-7-F 或类似 BJT。  

    D2： PDS3100Q-13或类似产品

    D7： BAS70-04-E3-18或类似型号

    此致、

    DIAN

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    TI__Guru**** 2380860 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    d1的值是否合适？ 它看起来是12V、而 Q1 (一种 NPN 晶体管(MMBTA06-7-F))的最大 VBE 额定值约为5V。
    为了避免超过 NPN 晶体管的 VBE 限制、应该将 D1替换为(例如2.5V 至5V 范围内的3.3V 或齐纳二极管)吗？

    将 NPN 晶体管(MMBTA06-7-F)替换为 N 沟道 MOSFET 是否会带来显著的效率优势？

  • 0
    TI__Guru**** 2380860 points
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    尊敬的 Romi：

    我目前在时间银行、将在星期三回来。 很抱歉重播延迟、感谢您的耐心！

    此致、

    DIAN  

    谢谢  

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    您好、我不介意等到您有时间回复。 同时、我还想问几个其他问题。

    我想我在计算 U5 REF 引脚的分压器时犯了个错误。 最初、R30和 R31与 R11一起使用、但我现在移除了 R11并将 R30更改为34.4kΩ。
    此调整看起来是否正确？

    我还想在将 U5替换为 AS431后验证周围元件的值：

    R13、R21、C19和 C5的值是否适用于 AS431？ 或者、它们是根据 U5的早期版本进行选择的、可能不再适用？

    R12和 R34是否适用于当前 PNP 晶体管 Q9 (MMBTA56LT1G)？ 还是最初选择它们用于不同的晶体管？

    同样、对于 Q10、R14和 R32是否适用于新的 PNP 晶体管 MMBTA56LT1G？

    R20的尺寸是否适合当前替代肖特基二极管 BAS70-04-E3-18？

    除了固定24V 输出版本、我还内置了 可调版本 而不是依赖于固定的电阻比、而固定的电阻比由于电阻容差可能难以精确实现。 在此版本中、我使用所附原理图中所示的电位器(VR30)。

    我使用的是：

    • R11 = 10k

    • R31 = 10k

    • VR30 = 100k

    在这一设置中、我可以根据调节输出电压 5V 至30V 、通过调整电位计、可以进行微调、从而精确匹配所需的输出。

    这种方法看起来是否正确并值得推荐？

    此外、我还想了解一些组件、例如 3314G-1-104E、C8 和连接到的其他设备 V-OUT 负电源轨 。 在参考设计中、它们似乎不会与类似的组件直接连接到同一 GND R32 或 R34 在我的原理图中、我将其标记为 GND2 。

    应该如此 GND2 器件的考虑因素 主接地基准 对于整个应用电路(包括 MCU、LDO 等)、还是用作 单独接地 该电路不得与信号接地端或初级侧 GND 连接在一起？

    请提供任何指导或确认。  谢谢你

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    TI__Guru**** 2380860 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Romi：

    我目前在时间银行、将在星期三回来。 很抱歉重播延迟、感谢您的耐心！

    此致、

    DIAN  

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    TI__Guru**** 2380860 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Romi：

    请在下面查看我的评论：  

    [引述 userid="625088" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1511129/tps23753a-non-isolated-poe－24V-output/5824697#5824697"] d1的值是否合适？ 它看起来是12V、而 Q1 (一种 NPN 晶体管(MMBTA06-7-F))的最大 VBE 额定值约为5V。
    [/报价]

    应保持 D1 = 12V 和 NPN。 此  NPN + 12V 齐纳二极管是一个线性稳压器、用于为 VC 提供12V 电压。

    [引述 userid="625088" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1511129/tps23753a-non-isolated-poe－24V-OUTPUT/5827296#5827296"]

    • R11 = 10k

    • R31 = 10k

    • VR30 = 100k

    [/报价]

    如果 REF = 2.5V、则使用公式 如下：Vout = 2.5V/10k *(100K+10K+10k)= 30V。 当 VR 较小时、您可以获得较低的 Vout。 是的、您可以调整它。 但 L2值可能未在30Vout 或5Vout 下优化。   

    [引述 userid="625088" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1511129/tps23753a-non-isolated-U5-24V-OUTPUT/5827296#5827296"]我认为我在计算 poe REF 引脚的分压器时犯了错误。 最初、R30和 R31与 R11一起使用、但我现在移除了 R11并将 R30更改为34.4kΩ。
    此调整看起来是否正确？

    当更改 R11值时、相位/增益裕度可能发生变化。 但您可以从您建议的值开始

    Unknown 说：
    will this GND2 器件的考虑因素 主接地基准 对于整个应用电路(包括 MCU、LDO 等)、还是用作 单独接地 不得与信号接地或初级侧 GND 连接在一起？

    这取决于应用。 但通常以 GND2为应用负载的主接地端。  

    此外、对于 Q10的 BREBO 等级、您可以考虑将 R12从6.2k 增加到~18k。  

    此致、

    DIAN