[参考译文] TPS23753A：非隔离式 PoE 24V 输出

admin

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1511129/tps23753a-non-isolated-poe-24v-output

器件型号：TPS23753A

工具/软件：

您好、

根据上一主题讨论如何修改设计以实现24V 输出、可在以下链接中找到该主题：

e2e.ti.com/.../tps23753a-how-to-design-for-non-isolated-具有24V-0-5a 输出的 poe

我已根据您的建议尝试修改 PMP40355、通过更改以下元件来实现24V 输出：

U5至 AS431
R30至35.7K
更准确
R13至4K
L2至330uH

但是、我对您的说明有点困惑："相应地调整 D2、D2缓冲器、输出电容器、使其具有更高的额定电流。"
您能否澄清一下这些组件中究竟应该调整什么？

此外、我找不到以下组件的实际值。您能告诉我他们的规格吗？

问题1
问题9.
问题10.
D2
D7

我的目标是实现24V 0.5A 输出。
如果我需要对设计进行任何其他修改才能实现这一点、感谢您的指导。

5 个月前

0 admin 5 个月前

TI__Guru**** 2382230 points

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尊敬的 Romi：

感谢您联系我们！我们将调查您的问题、并在2-4个工作日内回复您。

此致、

DIAN

0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 2382230 points

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您好,感谢您的答复。当然、我很高兴等待您的答复。

0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 2382230 points

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尊敬的 Romi：

将缓冲电路 C13调整为100V 额定值。您现在可以保持 R3和 C13的值相同、并在测试期间进行相应调整、以获得可接受的纹波

Q1、Q9、Q10：您可以使用额定值为80V 的 MMBTA56LT1G 和 MMBTA06-7-F 或类似 BJT。

D2： PDS3100Q-13或类似产品

D7： BAS70-04-E3-18或类似型号

此致、

DIAN

0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 2382230 points

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d1的值是否合适？ 它看起来是12V、而 Q1 (一种 NPN 晶体管(MMBTA06-7-F))的最大 VBE 额定值约为5V。
为了避免超过 NPN 晶体管的 VBE 限制、应该将 D1替换为(例如2.5V 至5V 范围内的3.3V 或齐纳二极管)吗？

将 NPN 晶体管(MMBTA06-7-F)替换为 N 沟道 MOSFET 是否会带来显著的效率优势？

0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 2382230 points

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尊敬的 Romi：

我目前在时间银行、将在星期三回来。很抱歉重播延迟、感谢您的耐心！

此致、

DIAN

谢谢

0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 2382230 points

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您好、我不介意等到您有时间回复。同时、我还想问几个其他问题。

我想我在计算 U5 REF 引脚的分压器时犯了个错误。最初、R30和 R31与 R11一起使用、但我现在移除了 R11并将 R30更改为34.4kΩ。
此调整看起来是否正确？

我还想在将 U5替换为 AS431后验证周围元件的值：

R13、R21、C19和 C5的值是否适用于 AS431？或者、它们是根据 U5的早期版本进行选择的、可能不再适用？

R12和 R34是否适用于当前 PNP 晶体管 Q9 (MMBTA56LT1G)？还是最初选择它们用于不同的晶体管？

同样、对于 Q10、R14和 R32是否适用于新的 PNP 晶体管 MMBTA56LT1G？

R20的尺寸是否适合当前替代肖特基二极管 BAS70-04-E3-18？

除了固定24V 输出版本、我还内置了 可调版本 而不是依赖于固定的电阻比、而固定的电阻比由于电阻容差可能难以精确实现。在此版本中、我使用所附原理图中所示的电位器(VR30)。

我使用的是：

R11 = 10k
R31 = 10k
VR30 = 100k

在这一设置中、我可以根据调节输出电压 5V 至30V 、通过调整电位计、可以进行微调、从而精确匹配所需的输出。

这种方法看起来是否正确并值得推荐？

此外、我还想了解一些组件、例如 3314G-1-104E、C8 和连接到的其他设备 V-OUT 负电源轨 。在参考设计中、它们似乎不会与类似的组件直接连接到同一 GND R32 或 R34 在我的原理图中、我将其标记为 GND2 。

应该如此 GND2 器件的考虑因素 主接地基准 对于整个应用电路(包括 MCU、LDO 等)、还是用作 单独接地 该电路不得与信号接地端或初级侧 GND 连接在一起？

请提供任何指导或确认。谢谢你

0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 2382230 points

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尊敬的 Romi：

我目前在时间银行、将在星期三回来。很抱歉重播延迟、感谢您的耐心！

此致、

DIAN

0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 2382230 points

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尊敬的 Romi：

请在下面查看我的评论：

[引述 userid="625088" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1511129/tps23753a-non-isolated-poe－24V-output/5824697#5824697"] d1的值是否合适？ 它看起来是12V、而 Q1 (一种 NPN 晶体管(MMBTA06-7-F))的最大 VBE 额定值约为5V。
[/报价]

应保持 D1 = 12V 和 NPN。此 NPN + 12V 齐纳二极管是一个线性稳压器、用于为 VC 提供12V 电压。

[引述 userid="625088" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1511129/tps23753a-non-isolated-poe－24V-OUTPUT/5827296#5827296"]

R11 = 10k
R31 = 10k
VR30 = 100k

[/报价]

如果 REF = 2.5V、则使用公式如下：Vout = 2.5V/10k *(100K+10K+10k)= 30V。当 VR 较小时、您可以获得较低的 Vout。是的、您可以调整它。但 L2值可能未在30Vout 或5Vout 下优化。

[引述 userid="625088" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1511129/tps23753a-non-isolated-U5-24V-OUTPUT/5827296#5827296"]我认为我在计算 poe REF 引脚的分压器时犯了错误。最初、R30和 R31与 R11一起使用、但我现在移除了 R11并将 R30更改为34.4kΩ。
此调整看起来是否正确？

当更改 R11值时、相位/增益裕度可能发生变化。但您可以从您建议的值开始

Unknown 说：
will this GND2 器件的考虑因素 主接地基准 对于整个应用电路(包括 MCU、LDO 等)、还是用作 单独接地 不得与信号接地或初级侧 GND 连接在一起？

这取决于应用。但通常以 GND2为应用负载的主接地端。

此外、对于 Q10的 BREBO 等级、您可以考虑将 R12从6.2k 增加到~18k。

此致、

DIAN

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