工具/软件：
你（们）好
在特定电流电平下、找到合适类型和数量的二极管来切断 IGBT 电源对我来说现在非常困难。
主要问题在于 9V 的内部电压基准及其容差：
在第 10 页的数据表中、内部基准电压可以在 8.3 伏至 9.5 伏之间。 这将对相应的关断电流产生很大影响。
另一方面、第 12 页有一个图表、其中基准电压仅介于 8.8 至 8.91 V（约）之间。 这就足够了。 该图显示了–40 到 125°C 之间的温度范围。 我们通常处于此间隔内、但驱动程序指定在–55 和 150°C 之间。 第 10 页所述的时间间隔是否涵盖整个工作温度范围、但通常我可以假设第 12 页的时间间隔？
提前感谢您所做的任何澄清。
1 月
您好、Jan、
UCC21750 EVM 具有一些二极管、可在其 DESAT 电路上用作基准：e2e.ti.com/.../slurb30-_2800_2_2900_.zip
DESAT 电路主要用于检测完全去饱和、其中 IGBT 的 VCE 会一直上升到完整总线电压、从而将电流钳位到恒定值。 它主要并非用于解决产生 9V VCE 的电流与产生 8V VCE 的电流之间的差异
非全 DESAT、VSW 在 200A 时降至~9V。
完整 DESAT：VSW 短接至 V_HV、不会下降。 电流被钳制到 300A 不饱和值。
更宽的容差是为了应对最坏情况下的工艺角加上温度加上裕度。 典型器件的温度变化更能代表大多数器件、在设计中使用此容差应该是安全的。 但我认为它不像您假设的 IGBT 那么重要、因为 IGBT 会不饱和至恒定的最大电流。
如果您要将 DESAT 用于 SiC FET、则必须更仔细地考虑这一点、因为它们不会不饱和、其 Vds 与 ID 与 DESAT 结果更类似于上面的第一次测量结果。
此致、
Sean
尊敬的 Jan 和 Franzis：
您能否说明您参考的是哪些数字？ 以下是我可以在 DESAT 阈值附近找到的数字、但我找不到您在 UCC21750 数据表其他部分提到的范围。
您似乎正在比较典型单位条件下的温度变化与温度和工艺变化下的完整绝对最大值和最小值。
此致、
Sean
您好、Jan、
事实上、第 10 页的范围非常广泛、旨在涵盖所有可能的温度和工艺变化、而不存在合理的疑问。
第 12 页的图更有助于描述典型器件与温度之间的关系。
此致、
Sean
