工具/软件：
您好、
我将使用设计 4 节锂离子电池充电器 BQ24610 一方 NTMFS5C628NL MOSFET（一个在高侧，一个在低侧）。
目标规格：
发生正转换 ：24v
输出 ：16.8V
充电电流 ：15A.
稳压器 : 600Khz
我有 3 个主要问题：
数据表示例和感测电阻计算似乎是假定的 10A（最大值 —我可以安全地将其扩展到 15A. 获得较低的 R Sense？
在栅极驱动或内部限制方面、BQ24610 在 15A 电流下持续运行是否存在任何问题？
中的示例 NTMFS5C628NL 、请您帮助确认是否 功率耗散（导通+开关） 与 BQ24610 配合使用时、15A 和 600kHz 处于合理的限制范围内？
提前感谢！
请注意。
Saif Shaikh
你好、赛义夫、
为什么 STAT2 即使在达到完全充电电压后也不打开？
我认为此问题与 C5 有关、如果您用较小的电容替换 C5、应该会看到它 已打开
您好 Christian：
感谢您的意见。
我们在 12.5A 条件下针对 5S 测试了基于 BQ24610 的充电器。 尽管在电路板下方实施了散热器以及 MOSFET（FET 顶部冷却）、并在 IC 下方增加了散热过孔和小型散热器、但我们仍然观察到高温；IC 会达到 90°C 附近、MOSFET 温度超过 90°C。
我们使用了 4 层 2oz/0.5oz（内层）电路板。
我们附上了电路板的热像图、以供您参考。 
图 1： 添加了 BQ24610 过孔
图 2：IC 温度上升到 90°C
图 3：MOSFET 计划温度高达 90°C
图 3： 带散热器的电路板
您能否告知是否有任何其他方法可以进一步降低功耗？
期待您的答复。
此致、
Saif Shaikh
你好、赛义夫、
输入端提供的功率是多少？ 效率是否大幅下降？
在我们的 EVM 上、我们有更多过孔、并将它们尽可能靠近中心放置。
开关 FET 下方/附近是否有任何散热过孔？
此致、
基督教。
您好 Christian：
根据您的建议、我们已更改过孔和铜平面。
在 IC 的底部、我们使用了外径为的过孔 0.45 毫米 内径为 0.20 毫米 。 MOSFET 也使用了相同的过孔尺寸。
共模电压 28V、10A 。
我在下面附上了更新的 Via 图像。 请验证并告知我是否需要进一步更改。
图：BQ24610 IC 下方的过孔
图：MOSFET 下方的过孔显示有白色边框
期待您的答复。
谢谢您、
Saif Shaikh
你好、赛义夫、
在 IC 底部、我们使用了外径为的过孔 0.45 毫米 内径为 0.20 毫米 。 MOSFET 也使用了相同的过孔尺寸。
我建议增加到 0.55mm 和 0.25mm、我们希望它们尽可能大。 我还建议确保过孔连接到多个层、每层覆铜量很大。 这适用于 MOSFET 和 IC。 这应该有助于散热、但由于高输入/输出功率、它可能仍然会变热。
此致、
基督教
你好、赛义夫、
如果我将二极管从输入端更换到输出端、这是否是保护整个电路的有效解决方案？
是的、这应该起作用。 您可能还需要在 VFB 反馈电阻器之后添加一个额外的电容器。 如下所示：
此致、
基督教
