[参考译文] TPSI3052：使用 ZCS 和电流反馈的实现

您好 Jesse、

感谢您联系我们的 E2E 团队。

驱动并联 MOSFET 没有问题、只需适当调整自举电容器 (CDIV1 和 CDIV2) 的大小以更大限度地减小压降。

对于模拟电流反馈、您可以考虑使用 AMC1200 之类的 隔离式放大器来连接 3V3 MCU。 我不熟悉优化、因此请咨询该团队以获取更多信息。

您好 Jesse、

感谢您的答复。  

对于高压间距、我使用了这个计算器：

- https://www.protoexpress.com/tools/pcb-conductor-spacing-and-voltage-calculator/

对于消费类应用、这听起来像是 CISPR 32/FCC 第 15 部分的 A/B 类 我们的器件可能能够使用滤波器通过此发射等级测试、但这一测试很接近尾声。 我的团队正在努力更新器件以改善排放、我们计划在 2026 年 4 月（今年晚些时候）推出首批客户样片、并将在确切的时间轴上检查是否可以选择该样片。

根据文献审查、我建议在图示位置添加铁氧体磁珠 (BLM21HE802SH1L)、更改输入电容器并增大上拉和下拉电阻。 还需要指出的是、我认为过流保护只能在单一方向上工作。 如果您需要使其在这两种器件中都工作、可以考虑使用具有两个故障比较器的 TPSI3110。我没有仔细检查原理图的其余部分、我假设它的连接与参考设计相同。

您好 Jesse、

感谢您的答复。

是的、对于输入电容器等低阻抗返回路径、因此我们需要确保在器件附近局部引用这些返回路径。 我没有在我的插图中很好地描述这一点。  

“单向过电流“究竟是什么意思？ 只有一半的波形会触发响应？ 我正在驱动电阻负载、这会有多大影响吗？[/报价]

是的、 我假设从相线到中性线有一个交流波形、电压一半为正、一半为负。 在正周期部分、分流电阻器上的电压为正；在负周期部分、分流电阻器上的电压为负。 由于比较器仅检测输入何时超过基准电压、因此在这种情况下、它仅检测正周期部分期间的过流事件。