Other Parts Discussed in Thread: LM66100-Q1, LM66100
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器件型号： LM66100-Q1
《Thread 中讨论的其他器件： LM66100》
亲爱的朋友
我想以与 P 沟道 MOSFET 相同的方式在高侧负载开关应用中使用 LM66100-Q1。
从数据表中可以看出、它可在 VCE <= Vin - 80mV 时导通、并在 VCE >= Vin 时关断。
但是、我找不到任何数据或说明当 Vin > VCE > Vin - 80mV 时会发生什么情况的语句。 例如、 当 VCE = Vin - 40mV 时。
如果我使用集电极开路晶体管通过上拉至 Vin 来控制 VCE、 考虑到 CE 引脚上的泄漏、 当晶体管关闭时、VCE 很可能介于 Vin 和 Vin-80mV 之间。 LM66100 可以安全地关闭吗？
注意：我不能使用较小值的上拉电阻器、因为功耗在我的应用中至关重要。
请提供帮助。
此致
Tony
