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[参考译文] LM5118:LM5118 不稳定电压且 M2 MOSFET 熔断

Guru**** 2813875 points

Other Parts Discussed in Thread: LM5118, CSD17578Q3A, LM5176

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1614305/lm5118-lm5118-unstable-voltage-and-blown-m2-mosfet

器件型号: LM5118
主题中讨论的其他器件: CSD17578Q3ALM5176

我使用的是 powerdesigner 提供的 LM5118 设计、出现了输出电压不稳定的问题(测试输入电压 12V)。  

当我连接它(空载且电流限制为 100mA) 时)时、电流约为 10 –20mA、输出电压波动在 3V –14V 左右、因此我尝试看看是否需要负载才能稳定、我向输出连接了 51k、并向由 LO 引脚驱动的 M2 (CSD17578Q3A) MOSFET 开始冒烟、电流消耗为 3A(可能受电源限制)、电压约为 2V。

与原理图唯一不同的是将 RFBT 从 8.66k 更改为 10k(因为我没有它)、因此输出应该~13.5V。  

我附上了 Powerdesigner 原理图和我自己的封装尺寸(目前未在寻找 EMI/EMC 指南,但可随时提出建议)。   


Webench Power Designer 设计: WBDesign3 (1).pdf 

我的原理图和布局:
lm5118 schematics.jpg
L_OUT 和 SYNC 仅连接到测试焊盘。

lm5118 layout.jpg
谢谢、此致、
Anze

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您提供详细的建议。  感谢您发送编修。

    -我拼接了边缘,并增加过孔到顶部接地覆铜
    -将 EN 电阻器移至更靠近 CINX 的位置
    - VIN 和 OUT 连接在电容器之间
    -垂直缩短电路板,使 MOSFET 更接近 LM
    -删除热性能
    - HS 和 HO 更接近彼此
    - CVCC 电容器直接连接到顶部 GND 覆铜 — PGND。
    -在 CSG VIA 周围的所有层上创建无固体区域(谢谢 Stefan — 我会想念它)

    e2e.ti.com/.../7041.lm5118_2D00_top.pdf

    e2e.ti.com/.../lm5118_2D00_inner1.pdf

    e2e.ti.com/.../lm5118_2D00_inner2.pdf

    e2e.ti.com/.../3731.lm5118_2D00_bottom.pdf

    谢谢、此致、

    Anze

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Anze:

    没问题、我认为通过这种布局、您更有可能让 LM5118 正常工作。

    “垂直缩短电路板、使 MOSFET 更接近 LM“-如果必须通过 EMC 测试、可能需要一些 PCB 面积用于滤波器 元件(传导发射)。

    PS: 对于传导发射、可能还需要一些额外的 OUT 滤波。

    此致、

    Grzegorz