[参考译文] LM74900-Q1：取决于是否存在 Ctmr 的脉冲过载保护

尊敬的 DRAs：

CTMR 定义了截止响应时间。 如果负载增加、而 CTMR 仍不处于关闭电源路径的状态、电流可能会上升。

这是你问的问题吗?

此致、

Shiven Dhir

您好：

CTMR 引脚的作用是明确且可以理解的。 它旨在允许电流在有限的时间内超过设定的阈值、以免短时毛刺脉冲触发故障。

但是、我观察到有效电流阈值似乎会根据是否存在 CTMR 电容器而变化。 这是在负载缓慢增加时发生的、其中阶跃之间超过 T (FLT)。

在 EVM 上、当器件配置为闭锁和 5A 电流限制时、在施加缓慢增加的负载（在两步之间超过 T (FLT)) 时、CTMR 上没有任何电容器的电流约为 5.2A。 使用 CTMR 电容器将 T (FLT) 设置为 1ms 或 10ms 时、使用相同的方法将电流阈值增加至约 7.2A。

此致

尊敬的 DRAs：

您是否尝试过快速变化电流的相同实验？

此致、

Shiven Dhir

您好：

否、因为快速变化的电流将测试消隐间隔的持续时间。

我注意到、在这两种情况下、Vtmr 都会在超过设定电流后开始其锯齿图。 如果没有 Ctmr、第一次尝试时锯齿的峰值超过 1.1V。

但是、在存在 Ctmr 的情况下、FLT 信号脉冲和 Vtmr 返回到 0V。只要电流不超过约 140%、此锯齿模式就会继续存在。 这时 Vtmr 才超过 1.1V 并触发保护。

此致、

尊敬的 DRAs：

您的输入电压是多少？

请分享波形以更好地理解。

请探测以下信号。

VTMR、VFLT、IOUT、HGATE。

请在 CTMR 为开路、1ms、10ms 的情况下进行测试。

目前、我的理解是、当我们的电流变化缓慢且填充了 CTMR 时、OCP 的目标电流为 7A、而不是 5A。

此致、

Shiven Dhir

您好：

输入电压为 24V

通道分配：
CH1（黄色）：Iout
Ch2（红色）：Utmr
CH3（蓝色）：Uflt
CH4（绿色）：Hgate（参考：GND）

配置：
IMON 和 ILIM 设置为 5A
用于闭锁的 TMR = 100kΩ
移除了 C10（输出电容器）、并向 EVM 的输出端添加了 TVS 保护二极管


图 1–CTMR 开路（预期行为）
在超过电流阈值之前、Utmr 保持平稳。

图 2–CTMR = 1ms
当任何电容添加到 TMR 引脚时、电流阈值会增大（负载与图 1 中相同）。 在超过当前阈值之前、Utmr 保持平坦状态、之后、它将获得所示的形状。 这种行为一直持续到大约 7A

图 3–CTMR = 1ms
这是实际触发故障的电流阈值。
图 2 和图 3 之间的时间差按分钟顺序显示。

图 4–CTMR = 10ms

时间标度已增加。

这不仅适用于缓慢变化的电流；脉冲电流也显示了相同的阈值。 通过缓慢增大电流、可以在一次仅改变一个变量的情况下更清楚地观察到阈值。

在我的测试中、阈值会随着 Ctmr 的加入而变化。 但是、上升阈值似乎在 1ms 和 10ms 之间没有变化。

此致、

尊敬的 DRAs：

在图 2 中、IOUT 似乎为 6A、而 TMR 仍在运行。

在数据表波形 9.13 中（由于此网络上存在一些干扰，无法共享图像）

当 TMR 引脚正常工作时、HGATE 为低电平、因此负载电流不应流动。

在您的图中、HGATE 和负载电流都不是很低。 为什么会这样？

此外、CTMR 上是否组装了 100k 电阻器？ 请同时删除它。

遗憾的是、我不太相信波形。

此致、

Shiven Dhir

您好：

您说的是对的、在图 2 中、Iout 为 6A。我不确定为什么会发生这种情况、这正是我问您的问题。

是的、所有图中都存在 100kΩ 电阻器、因为我需要该电阻器来实现闭锁功能。 然而,即使我删除它,行为保持不变。

我使用两种不同的 EVM 测试了此现象、因此请随时自行尝试。

此致、

尊敬的 DRAs：

我自己测试了它、一切都运行正常。 我还没有确认准确性。 但在你的情况下,我可以看到跳闸甚至没有发生。

您能否执行以下操作、以确认设置或 EVM 是否没有问题？

请在移除锁存电阻的情况下重复测试 1ms CTMR、并增加负载以达到跳变点。

探头 I 抵消 、HGATE、TMR、FLTB。

请勿保存超放大波形。

在数据表波形 9.13 中（由于此网络上存在一些干扰，无法共享图像）、它是在移除闭锁电阻器的情况下在 EVM 上捕获的。

此致、

Shiven Dhir

您好：

如果没有闭锁电阻器、则结果会明显更糟、因为输出 MOSFET 会过热并发生故障。 我错过了临界阈值、但介于 4.4Ω 和大约 3.6Ω 之间、观察到了附加的波形。 随后的重启可能会使 MOSFET 长时间保持在其线性区域、从而导致热过载和故障。 我在电子负载设置为 CR 的情况下进行了测试。

CH1 = Iout、CH2 = TMR、CH3 = FLTB、CH4 = HGATE。
与之前一样、存在故障脉冲、但它们会被忽略。

此致、

您好：

这很奇怪。 我尝试了多个 IC 和三个 EVM、结果一直是相同的。 我不完全肯定为什么会出现这种情况。

到目前为止、唯一可行的选择似乎是省略 CTMR 电容器。 但是、我希望这不是必需的、因为消隐间隔非常短、可能会偶尔导致错误的故障触发。

您使用了什么类型的负载？

此致、

您好、Shiven、

我是否可以向您发送我的 EVM、以便您仔细检查是否得到相同的结果？

我不确定导致这一结果的原因是什么。 我已经使用不同的电源、负载和 EVM 进行了测试、但出于某种原因、我每次使用库存 EVM 时都能获得相同的结果。

此致、

尊敬的 DRAs：

我记得我们已经确定您不需要此功能、我们是否仍需要对其进行调查？

此致、

Shiven Dhir