[参考译文] BQ25570：单个芯片将在电池的 VBAT 端产生1.1mA 的泄漏

如果我将 EN 连接到 VBAT 以禁用 IC，泄漏将消失。  

安妮，您好！

我以前从未听说过这个问题。   发生这种情况时，我能否获得原理图以及 VIN_DC，BAT 和 VOUT 电压的副本？ 这只是一个增压充电器，意味着 VIN_DC (更具体地说，VOC_SAMP 引脚设置的 VMPP 必须低于 VBAT_OV 设置。

我认为/EN 被拉低，VOUT_EN 被拉高？  当/EN 被拉至 VBAT 后又被拉回低位时，泄漏是否会恢复？  发生泄漏时，转换器是否切换(LBOOST 针脚处的方形波形)？

该设备不是为热插拔电池而设计的，即当插入电池时，其在 VIN_DC 处的电压或 VSTOR 高于100mV。

此致，

杰夫    

您好 Jeff，

这是示意图，VIN_DC 大约是3.6V 太阳能电池板，BAT 是3.7V 锂电池，不使用 VOUT。  VBAT_OV 为4.15V。

/EN 过低，VOUT_EN 也很低，因为我们不使用 VOUT 作为系统的电源。当/EN 被拉至 VBAT，然后又被降低时，泄漏恢复(1.1 mA)。  

发生泄漏时转换未切换。

此致，

DU。

 我们使用电源模拟器替换电池进行功耗测试。我们焊接了20块板，其中两块板的漏电（1.1mA）。  

您好，德斯洪，

您能否比较带有泄漏的电路板和没有泄漏的电路板之间的浮动引脚(LBUCK，VOUT，VBAT_OK，VOUT_SET)电压？

此致，

杰夫

您好 Jeff，  

 无论是有泄漏的电路板还是无泄漏的电路板，所有这些引脚的电压都是0V。  

下图显示了主板的功耗曲线，无泄漏。