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[参考译文] BQ25570：单个芯片将在电池的 VBAT 端产生1.1mA 的泄漏

admin
Guru**** 2511985 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25570

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1071122/bq25570-individual-chips-will-generate-1-1ma-leakage-at-the-vbat-end-of-the-battery

部件号：BQ25570
“线程： 测试”中讨论的其它部件

大家好，团队

客户使用 BQ25570作为太阳能充电控制芯片。  他发现，当单个芯片未连接到负载时，锂电池 VBAT 的漏电量将达到1.1mA。  更换芯片后，泄漏将消失。  大约1/10的芯片会出现此问题。  可能的原因是什么？ 静态或焊接问题？

此外，首次插入电池时没有泄漏。  在太阳下充电一段时间后，太阳消失后，电池将始终有1.1mA 的泄漏。  取出并重新插入电池，泄漏将消失。

谢谢，

安妮

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    如果我将 EN 连接到 VBAT 以禁用 IC，泄漏将消失。  

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    安妮，您好！

    我以前从未听说过这个问题。   发生这种情况时，我能否获得原理图以及 VIN_DC，BAT 和 VOUT 电压的副本？ 这只是一个增压充电器，意味着 VIN_DC (更具体地说，VOC_SAMP 引脚设置的 VMPP 必须低于 VBAT_OV 设置。

    我认为/EN 被拉低，VOUT_EN 被拉高？  当/EN 被拉至 VBAT 后又被拉回低位时，泄漏是否会恢复？  发生泄漏时，转换器是否切换(LBOOST 针脚处的方形波形)？

    该设备不是为热插拔电池而设计的，即当插入电池时，其在 VIN_DC 处的电压或 VSTOR 高于100mV。

    此致，

    杰夫    

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    您好 Jeff，

    这是示意图，VIN_DC 大约是3.6V 太阳能电池板，BAT 是3.7V 锂电池，不使用 VOUT。  VBAT_OV 为4.15V。

    /EN 过低，VOUT_EN 也很低，因为我们不使用 VOUT 作为系统的电源。当/EN 被拉至 VBAT，然后又被降低时，泄漏恢复(1.1 mA)。  

    发生泄漏时转换未切换。

    此致，

    DU。

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    TI__Guru**** 2511985 points
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     我们使用电源模拟器替换电池进行功耗测试。我们焊接了20块板，其中两块板的漏电（1.1mA）。  

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    您好，德斯洪，

    您能否比较带有泄漏的电路板和没有泄漏的电路板之间的浮动引脚(LBUCK，VOUT，VBAT_OK，VOUT_SET)电压？

    此致，

    杰夫

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    您好 Jeff，  

     无论是有泄漏的电路板还是无泄漏的电路板，所有这些引脚的电压都是0V。  

    下图显示了主板的功耗曲线，无泄漏。  

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    您好，德斯洪，

    我无法在工作台上使用 EVM 进行重现。  当内部电路不应该打开时，它似乎正在打开。  我建议您通过购买 IC 的任何人提交 IC 以进行退货和故障分析。

    此致，

    杰夫  

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    您好 Jeff，

    好的，我会这样做。  

    谢谢，

    DU。