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部件号：LM3642 大家好，团队
我正在学习LM3642闪存驱动程序。 数据表提到：启动时，当VOUT低于VIN时，内部同步PFET作为电流源打开，并向输出电容器输送350 mA (典型值)，如下所示。
但我发现在结构图中PMOS是低侧MOSFET，NMOS是高侧MOSFET。 如果PMOS作为当前源运行，SW节点将几乎接地短路，这是不正确的操作。
所以我对此感到困惑，您能解释一下吗？ 或者结构图中的绘图是否错误？
非常感谢。
