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[参考译文] TPS1H100-Q1：对VBAT短路

admin
Guru**** 2328790 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/572500/tps1h100-q1-short-to-vbat

部件号：TPS1H100-Q1
主题：TPS1H100B-Q1中讨论的其他部件

您好，

我们收到了客户关于TPS1H100B-Q1的问题。
请帮帮我们。

[问题]
在以下情况下，您能否让我们确认与VBAT短路的行为。

 条件-
 Vs=VBAT
 OUT =对VBAT短路
 状态=内部FET打开和关闭
 无块二极管

他们想知道测试结果(烟雾，火灾，燃烧，爆炸，确定， 等)。 是否有任何测试数据？

此致，
Tateo

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    TI__Guru**** 2328790 points
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    Tateo，您好！

    我们现在正在检查。

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    TI__Guru**** 2328790 points
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    Tateo，

    VOUT与VBAT短路时没有损坏。 我会确保该应用程序不会同时担心处于反向当前状态。

    为了您的方便，我已包含反向电流条件。
    如果VOUT-VS>Vdiode。
    1. 高速钢接通，HS FET的功耗较小，无风险。
    2. 高速钢关闭，P=Vdiodo*反向。 必须限制反向电流。

    如果VOUT-VS-<V二极管，则不会出现反向电流。
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    TI__Guru**** 2328790 points
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    感谢您的回复。
    我们的客户还有其他问题。 如果出现over Irev2条件，设备将出现哪种行为？
    他们想知道测试结果(烟雾，火灾，燃烧，爆炸，确定， 等)。 是否有任何测试数据？

    此致，
    Tateo

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    TI__Guru**** 2328790 points
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    IRrev应保持在几mA以下，否则FET将损坏。 这不会冒烟，但通道将不再正常工作。

    客户期望多少Irev？

    在任何合理的应用中都不应担心失败，所以我们来关注设计限制。

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    TI__Guru**** 2328790 points
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    感谢您的回复。
    让我检查一下他们的状况。

    此致，
    Tateo

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    TI__Guru**** 2328790 points
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    大家好，我们还有其他问题。 您能否确认以下情况下的行为？


    我们认为VBAT存在于通过主体二极管的漏极中。 而且没有任何问题。 正确吗？

    此致，
    Tateo

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    TI__Guru**** 2328790 points
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    正确。 VBAT将存在于通过车身二极管的排放器中。 由于二极管本身的原因，会出现压降。