[参考译文] LM5066I：适用于1.2k&amp 的 LM5066I；3.3kw 应用设计审查

您好、Ryan、

感谢您与我们联系。 我们将在明天结束前再次与您会面。  

您好、Ryan、

"无需使用热插拔功能"是什么意思？  客户需要哪些功能？  

请按您的查询顺序查看回答。  

1) 1) MOSFET 可以稍微分开放置。 根据 SQM120N10-3m8的数据表、RthJA 为40°C/W、PCB 面积为1"平方。 因此、应为每个 MOSFET 分配一个1"平方的 PCB 面积。 这将有助于提高热性能、正如客户正确指出的那样。
在开启或关闭期间、在上述 MOSFET 位置不会有任何延迟。

2) 2)应输入单个 MOSFET 的导通电阻。 但是、SQM120N10-3m8的 RDSON 看起来非常高。 它可能不适用于此大电流设计。 CSD18536KTT 在此可能是可行的选择。 如有任何疑问、请查看随附的设计计算器并告知我们。 请注意、由于这是一种高电流设计、因此需要考虑一些设计注意事项。 请分享原理图供我们查看。

e2e.ti.com/.../LM5066I_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_3.3kW_5F00_Edited-by-TI.XLSX

尊敬的 Avishek：

感谢您提出的 MOSFET 建议、我们已将其推广给他。

我的客户认为仅将 LM5066I 用于电源开关、因此不会面临热插拔导致的高电流使用情况。

电路的环境温度为25~50摄氏度。

他想知道是否会面临高达120W 的"目标功率限制"情况、因为"满负载时(每个 FET)的 FET 功率损耗"仅为3.4W。

此外、"最大 FET 结温"和"目标功率限制"的定义是什么。

感谢你的善意帮助。

您好、Ryan、

我将在星期一再接回来。