尊敬的专家：
我无法在 pspice 中仿真该电路、该 MOSFET 电路是否正确、如果错误、请帮助我构建更好的电路。
CSD18542KTT
尊敬的先生：
由于组件可用性的原因、我更改了驱动器和 MOSFET。下面我附上了原理图、请进行验证。我将使用48V 40A。
Naveen、
感谢您的参与和对 TI 器件的兴趣！ 我叫 Aaron Grgurich、是 UCC2752X 栅极驱动器系列的应用工程师。
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是的、如果 UCC27525的输入引脚由0V 至3.3V 的信号驱动、这将起作用。 数据表的第7.5节对此进行了概述。
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希望这能解答您的问题！ 如果是、请按绿色按钮；否则、请随时跟进！
谢谢、
Aaron Grgurich
您好、先生、
请检查以下电路并进行更新。
Naveen、
抱歉、我忘记再次查看原理图了... 在总线电压为+48V 的情况下、您不能将此栅极驱动器与此处的 PMOS 搭配使用。 我建议使用 NMOS MOSFET。 NMOS MOSFET 的开关速度更快、并且导通的 R_DS 也比 PMOS 小(一般经验法则)。
如果您切换回 NMOS 设计、我仍有设计建议。
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请注意、UCC27525的 INA 是反相的、INB 是同相的。 请确保这是您想要的(这对我来说似乎很好)
以下是我对该设计的评论：
1)关于 V_DD 电容旁路、请参阅数据表的第8.3.1节。 应将100nF (0.1uF)电容器尽可能靠近 IC 放置、并联100nF 的1uF 电容器。 请参阅下图、了解如何布局电容器。
2) 2)根据 系统的噪声大小、 您可能需要进行输入信号滤波。 至少应将低通滤波器的放置架放入输入端 (放置架将是0欧姆的短路电阻器、不会装入电容器)。 如果您最后填充了低通滤波器、请勿放置大于100欧姆的电阻器和大于200pF 的电容器。)
3) 3) 将 INB 接地也许不是一个坏主意、但它不是必需的(因为它未被使用)。
4) R4应从功率 MOSFET 的栅极到源极(在您的原始原理图上是正确的)
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很抱歉、您的 PMOS 问题缺少原理图、但我希望以上内容能为您提供帮助。
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我希望这能回答你的问题。 如果是、请按绿色按钮；否则、请随意跟进。
谢谢！
Aaron Grgurich
