This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] CSD18542KTT:需要验证 CSD18542KTT 的原理图。

Guru**** 651690 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18542KTT, UCC27511, CSD18510Q5B, CSD18536KTT, CSD18512Q5B, CSD18563Q5A, CSD19505KTT, CSD19505KCS, UCC27525
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1021483/csd18542ktt-need-to-verify-the-schematic-for-csd18542ktt

器件型号:CSD18542KTT
主题中讨论的其他器件: UCC27511CSD18510Q5BCSD18536KTTCSD18512Q5BCSD18563Q5ACSD19505KTTCSD19505KCSUCC27525

尊敬的专家:

我无法在 pspice 中仿真该电路、该 MOSFET 电路是否正确、如果错误、请帮助我构建更好的电路。

 CSD18542KTT

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Naveen、

    感谢您关注 TI FET。 您的原理图看起来正常。 您能否提供有关仿真问题的更多详细信息? 例如、您是否遇到收敛问题?

    此致、

    John Wallace

    TI FET 应用

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、John、

    我不熟悉功率 MOSFET。 我不知道这种情况的仿真、所以我做了一些研究、最后我选择了 MOSFET 和驱动器。但我仍然对 IN+和12v GATE voltage.ca的电压电平有一些疑问、您可以消除我的疑虑。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Naveen、

    John 休假了、是我们的 MOSFET 建模专家、他下周回来后将能与您取得成功。

    给您带来的不便、我深表歉意、您能等到下周吗?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Chris:

    感谢您的回复。 您能不能指导我构建更好的电路。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Naveen、

    很抱歉,我不能,John 是我们的 MOSFET 应用支持,您能等到下周吗?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Chris:

    谢谢! 我要稍等。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Naveen、

    再次感谢您关注 TI FET。 要回答您的问题:

    1. 12V 栅极驱动器可与绝对最大 VGS =+/-20V 的 CSD18542KTT 配合使用。
    2. 对于此斩波电机驱动应用、IN+应由 UCC27511数据表中所示的 PWM 信号驱动。 典型输入高电平为2.2V、输入低电平为1.2V。

    此外、可能需要调整栅极电阻器以获得 FET 所需的上升和下降时间。 100欧姆可能太大、具体取决于您的要求。

    最后、您能否与我分享您的 PSpice 仿真?

    谢谢、

    John Wallace

    TI FET 应用

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的先生:

    由于组件可用性的原因、我更改了驱动器和 MOSFET。下面我附上了原理图、请进行验证。我将使用48V 40A。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Naveen、

    您的原理图看起来不错。 然而、40A 时的功率耗散将超过此器件的能力、最大功率约为2.5W TJ = 25°C 时的导通损耗为40A x 40A x 14.5mΩ Ω= 23.2W。 有关  TI FET 功率耗散能力的更多信息、请参阅此技术文章。 您将需要为此应用选择导通电阻较低的 FET。 请看一下 CSD18536KTT、这是 TI 在 D2PAK 中具有最低导通电阻的 FET。 您可能还会考虑采用5x6mm SON 封装的 CSD18510Q5B 或 CSD18512Q5B。

    此致、

    John

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的先生:

    我是否可以使用此 MOSFET  CSD18563Q5A。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Naveen、

    在 VGS = 10V 且 TJ = 25°C 时、CSD18563Q5A 的最大导通电阻为6.8mΩ Ω 40A 时的导通损耗为10.88W、不包括导通电阻的正 tempco (请参阅数据表中的图8)。 5x6mm SON 封装在多层 PCB 上的布局良好时、最大功耗约为3W。 您可以并联 FET 以减少传导损耗、并在表面积更大的多个器件上分散功率耗散。 采用这种方法时、导通损耗会通过并联 FET 的数量来降低、每个器件中的耗散是总功率除以并联 FET 的数量。 例如、如果并联两个 FET、则总导通损耗降低50%、每个器件将消耗50%的总导通损耗。 40A 时、总导通损耗为5.44W、而在每个 CSD18546Q5A 中、总导通损耗为2.72W。  栅极驱动和开关损耗会增加、但电机驱动器通常以较低的频率(大约20kHz)进行开关、传导损耗占主导地位。

    谢谢、

    John

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的先生:

     由于我在并联 MOSFET 方面没有太多经验、因此我选择了 CSD19505KTT。该 MOSFET 在 VGS = 10V 时具有非常低的 RDS 2.6mΩ

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Naveen、

    CSD19505KTT 是一款适用于电机驱动应用的出色 FET。 40A 时的导通损耗为40A x 40A x 40A x 3.1mΩ μ F (最大值)= 4.96W、将超出封装的能力。您能否分享有关您的应用的更多详细信息? 40A 是连续均方根电流还是该峰值?

    谢谢、

    John

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的先生:

    这只是峰值电流、我将使用  TO-220封装的 CSD19505KCS

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的先生:

    我可以使用该 MOSFET 吗?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Naveen、

    再次感谢您关注 TI FET。 是的、此 MOSFET 可用于您的应用。 TO220封装可连接到散热器、以帮助消除器件的耗散功率。

    此致、

    John Wallace

    TI FET 应用

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的先生:

    我能否将 具有3.3V GPIO MCU 的 UCC27525D 用于此 MOSFET。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Naveen、

    感谢您的参与和对 TI 器件的兴趣!  我叫 Aaron Grgurich、是 UCC2752X 栅极驱动器系列的应用工程师。

    ----

    是的、如果 UCC27525的输入引脚由0V 至3.3V 的信号驱动、这将起作用。  数据表的第7.5节对此进行了概述。

    ----

    希望这能解答您的问题!  如果是、请按绿色按钮;否则、请随时跟进!

    谢谢、

    Aaron Grgurich

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、先生、

    我可以将此驱动器与 P 沟道 MOSFET 配合使用吗?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Naveen、

    是的、您可以驱动 P 沟道 MOSFET。  为了保护您的功率 FET、请考虑在栅源极之间使用一个10kOhm 或20kOhm 电阻器、以确保 FET 在上电期间保持关断(栅极上的上拉电阻器)。

    谢谢、

    Aaron Grgurich

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、先生、

    请检查以下电路并进行更新。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Naveen、

    抱歉、我忘记再次查看原理图了... 在总线电压为+48V 的情况下、您不能将此栅极驱动器与此处的 PMOS 搭配使用。  我建议使用 NMOS MOSFET。  NMOS MOSFET 的开关速度更快、并且导通的 R_DS 也比 PMOS 小(一般经验法则)。

    如果您切换回 NMOS 设计、我仍有设计建议。

    ----

    请注意、UCC27525的 INA 是反相的、INB 是同相的。  请确保这是您想要的(这对我来说似乎很好)

    以下是我对该设计的评论:

    1)关于 V_DD 电容旁路、请参阅数据表的第8.3.1节。  应将100nF (0.1uF)电容器尽可能靠近 IC 放置、并联100nF 的1uF 电容器。  请参阅下图、了解如何布局电容器。

     

    2) 2)根据 系统的噪声大小、 您可能需要进行输入信号滤波。  至少应将低通滤波器的放置架放入输入端 (放置架将是0欧姆的短路电阻器、不会装入电容器)。  如果您最后填充了低通滤波器、请勿放置大于100欧姆的电阻器和大于200pF 的电容器。)

    3) 3) 将 INB 接地也许不是一个坏主意、但它不是必需的(因为它未被使用)。

    4)  R4应从功率 MOSFET 的栅极到源极(在您的原始原理图上是正确的)

    ----

    很抱歉、您的 PMOS 问题缺少原理图、但我希望以上内容能为您提供帮助。

    ----

    我希望这能回答你的问题。  如果是、请按绿色按钮;否则、请随意跟进。

    谢谢!

    Aaron Grgurich