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[参考译文] LM5101B：D 类运算放大器 MOSFET

admin
Guru**** 1133960 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/980342/lm5101b-class-d-op-amp-mosfet

器件型号：LM5101B

我尝试设计 D 类运算放大器。 输入正弦波的幅值为1V、频率为20K、直流为1V。 锯齿波形的振幅为2V 和200k 频率。 我选择的 MOSFET 是 IRF540。 当我将高侧 MOSFET 的 Vdd 设置为40V、低侧设置为0V 时、系统运行良好。 但是、如果我将其更改为对称系统、其中高侧 MOSFET 的 Vdd 为20V、低侧为-20V、则系统不能正常工作。 是否有人知道如何解决此问题？ 感谢你的帮助。  

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    TI__Guru**** 1133960 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Zhekun、

    对于仿真模型、驱动器接地引脚 VSS 应处于电路接地电位。 尽管 IC 将在-20V 的接地基准下工作、但为了进行仿真、IC 的接地需要位于电路接地端、并且电压电平会相应地偏移。

    因此、对于仿真、VSS 应接地、并且 FET 正电源电平应根据您目前仿真的结果从20V 移动到40V。 驱动器输入和输出信号应以接地为基准、而不是-20V。

    确认这是否解决了您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

    此致、

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    TI__Guru**** 1133960 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Richard、  

    感谢你的帮助。 我想知道、如果我想使低侧源极电压保持为负电压、应该怎么办？ 有可能吗？

    此致、  

    Zhekun Liu

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    TI__Guru**** 1133960 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Zhekun、

    对于实际应用电路、驱动器 VSS 引脚可以以原理图中所示的负电压为基准、只需确保驱动器引脚电压、尤其是 LI 和 HI 输入引脚、以与驱动器 VSS 引脚相同的负电压为基准。

    为了使仿真正常工作、电压必须与以电路接地为基准的驱动器 VSS 进行电平转换、以使模型正常工作。

    确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

    此致、