我尝试设计 D 类运算放大器。 输入正弦波的幅值为1V、频率为20K、直流为1V。 锯齿波形的振幅为2V 和200k 频率。 我选择的 MOSFET 是 IRF540。 当我将高侧 MOSFET 的 Vdd 设置为40V、低侧设置为0V 时、系统运行良好。 但是、如果我将其更改为对称系统、其中高侧 MOSFET 的 Vdd 为20V、低侧为-20V、则系统不能正常工作。 是否有人知道如何解决此问题? 感谢你的帮助。
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我尝试设计 D 类运算放大器。 输入正弦波的幅值为1V、频率为20K、直流为1V。 锯齿波形的振幅为2V 和200k 频率。 我选择的 MOSFET 是 IRF540。 当我将高侧 MOSFET 的 Vdd 设置为40V、低侧设置为0V 时、系统运行良好。 但是、如果我将其更改为对称系统、其中高侧 MOSFET 的 Vdd 为20V、低侧为-20V、则系统不能正常工作。 是否有人知道如何解决此问题? 感谢你的帮助。
您好、Zhekun、
对于仿真模型、驱动器接地引脚 VSS 应处于电路接地电位。 尽管 IC 将在-20V 的接地基准下工作、但为了进行仿真、IC 的接地需要位于电路接地端、并且电压电平会相应地偏移。
因此、对于仿真、VSS 应接地、并且 FET 正电源电平应根据您目前仿真的结果从20V 移动到40V。 驱动器输入和输出信号应以接地为基准、而不是-20V。
确认这是否解决了您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。
此致、