请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：LMG1210 您好！
我使用 LMG1210来驱动一对 FDMS86200 MOSFET。
我在电机驱动应用中使用这些器件、我注意到、在我的电机运行时、HO 栅极驱动输出正在衰减。 我拥有的特定电机的上部 MOSFET 的平均导通时间高达10uS。
在下图中、顶部迹线 D0是高侧输入的上升沿、而蓝色迹线(CH3)是直接位于 FET 栅极的信号(即 HO 输出)
我按照数据表第17页的计算结果得出了以下值
QRR = 300nc
QgH = 42nc
IHB = 850uA
Ton = 10us
DeltaV = 1V
这为我提供了350nF 的值、我在设计中使用了470nF 的值。
但是、我认为自举电容衰减是我的问题的原因、并将其增加到当前的1uF、而没有任何明显的差异。
是否有人能够帮助解决此问题？ 我是否需要提高得多、比如4.7uF、当标称值为0.1uF 时、这样的值是否合理？
谢谢
