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[参考译文] bq24640：MOSFET 驱动器 PWM 仅达到2V

admin
Guru**** 2392905 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24640

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/967527/bq24640-mosfet-driver-pwm-reaching-only-2v

器件型号：bq24640

尊敬的 TI：

我一直在尝试为单个2.7V 330F 超级电容器构建基本 BQ24640充电器。 我尝试达到通告的10A 充电电流。 我的电路复制了评估板 https://www.ti.com/tool/BQ24640EVM 中的电路。 本实验使用功率 MOSFET SIR460DP (https://www.mouser.com/datasheet/2/427/sir460dp-93818.pdf)、一个高电流3.3uH 电感器、并在评估板之后进行其他操作。

在我进行调试时、我注意到 MOSFET 上的栅极源极电压 PWM 在2.1V 至0V 之间摆动以实现高电平、而0V 至低电平。 频率正确、REGN 引脚显示6V。 我的理解是、驾驶员应该以6V 而不是2V 的电压驾驶？ 我想知道问题可能在哪里？ 我是否正确地认为这是电路为什么永远不会达到10A 的问题？

最好、Julian

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    TI__Guru**** 2392905 points
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    Julian、

    您的理解是正确的。 LODRV 应为6V (对于高电平)、0V (对于低电平)。 HIDRV 应为6V + V_PH、对应于高电平；V_PH、对应于低电平。

    关于您的 MOSFET、您选择的 SIR460DP 具有比推荐的 SiR426DP 明显更高的栅极电荷。 16.8nC 与9.3nC。  您是否还看到 SiR426DP 的这种异常行为？

    谢谢、

    Ricardo

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    TI__Guru**** 2392905 points
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    您好、Ricardo、

    感谢您的确认。

    我没有尝试过 SiR426DP、但我已经尝试过 SiS412DN、它的栅极电荷为3.8nC (如果我在 https://www.mouser.com/datasheet/2/427/sis412dn-1765088.pdf 上阅读了数据表)。 遗憾的是、我看到了同样的用于 SiS412DN 的2.1V 高驱动信号。 如果我想不能将 MOSFET 的栅极完全充电至6V、那么唯一的另一个可能是 IC 与栅极之间的连接、对吧？ 在我的 PCB 上、两种情况下 MOSFET 栅极连接的走线都是一条简单的0.254mm 宽走线、每个走线都有两个过孔。 这会是个问题吗？

    最好、Julian

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    TI__Guru**** 2392905 points
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    Julian、

    您能否在运行期间捕获 PH、HIDRV 和 LODRV 的示波器快照？

    谢谢、

    Ricardo

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    TI__Guru**** 2392905 points
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    您好、Ricardo、

    当我再次测量信号时、我意识到、我使用的探头设置为10倍、但示波器不是！ 这可能是我看不到任何合理的原因。 修复后，我现在得到了我应该得到的正是我应该得到的，这个世界再次变得有意义：)！ 根据预期、Hirv 比 PH 高6V、而 Lodrv 比 GND 高6V。 请参见下面的。

    最后一个问题：LoDrv 仅在充电周期结束时启用(大约2V？)。 从数据表中可以看出、这是由于 低于2V 电容器电压的非同步模式造成的。 为单个超级电容器充电时、这是大部分充电操作。 在非同步模式期间、低侧 MOSFET 的加热速度比高侧 MOSFET 的加热速度更快。 这是由体二极管中的能量损耗造成的吗？ 这可以得到缓解吗？ 我是否应该将体二极管与肖特基二极管并联？

    只需再次检查：独立于同步或非同步运行、我应该希望充电器以所需的电流充电？ 即 、BQ 数据表中的图8 即使在低于2V 的超级电容器区域也有效？

    以下读数：高驱动、PH、低驱动：

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    TI__Guru**** 2392905 points
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    尊敬的 Julian：

      你是对的。 在非同步模式期间、LSFET 通过其体二极管导通、并且 FET 本身未导通。 这适用于低充电电流、以防止负电感器电流。 LSFET 热量增加的原因是 LSFET 上的功率耗散。 您还可以看到、通过并联添加肖特基二极管来降低 LSFET 体二极管的正向压降有助于提高效率并降低热耗散。

    是的、关于充电电流、您可以参阅 EC 表以观察充电电流限制。  

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    TI__Guru**** 2392905 points
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    Julian、

    并联肖特基二极管有助于减少一些热量。 我认为这是一个很好的下一步。

    此致、

    Ricardo

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    TI__Guru**** 2392905 points
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    感谢 Ricardo 和 Kedar 迄今提供的所有帮助！

    您是否想澄清以下问题： 独立于同步或非同步运行、我应该期望充电器以所需的电流充电？ 即 、BQ 数据表中的图8 即使在低于2V 的超级电容器区域也有效？

    Kedar 我不确定您所指的是哪张桌子？

    最好、Julian

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    TI__Guru**** 2392905 points
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    Julian、

    您是否想澄清以下问题： 独立于同步或非同步运行、我应该期望充电器以所需的电流充电？ 即 、BQ 数据表中的图8 即使在低于2V 的超级电容器区域也有效？

    只要有足够的功率并且遵守电气特性表"EC 表"、您的理解是正确的。

    此致、

    Ricardo

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    TI__Guru**** 2392905 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    非常感谢 Ricardo！