[参考译文] bq24640：MOSFET 驱动器 PWM 仅达到2V

Julian、

您的理解是正确的。 LODRV 应为6V (对于高电平)、0V (对于低电平)。 HIDRV 应为6V + V_PH、对应于高电平；V_PH、对应于低电平。

关于您的 MOSFET、您选择的 SIR460DP 具有比推荐的 SiR426DP 明显更高的栅极电荷。 16.8nC 与9.3nC。  您是否还看到 SiR426DP 的这种异常行为？

谢谢、

Ricardo

您好、Ricardo、

感谢您的确认。

我没有尝试过 SiR426DP、但我已经尝试过 SiS412DN、它的栅极电荷为3.8nC (如果我在 https://www.mouser.com/datasheet/2/427/sis412dn-1765088.pdf 上阅读了数据表)。 遗憾的是、我看到了同样的用于 SiS412DN 的2.1V 高驱动信号。 如果我想不能将 MOSFET 的栅极完全充电至6V、那么唯一的另一个可能是 IC 与栅极之间的连接、对吧？ 在我的 PCB 上、两种情况下 MOSFET 栅极连接的走线都是一条简单的0.254mm 宽走线、每个走线都有两个过孔。 这会是个问题吗？

最好、Julian

Julian、

您能否在运行期间捕获 PH、HIDRV 和 LODRV 的示波器快照？

谢谢、

Ricardo

您好、Ricardo、

当我再次测量信号时、我意识到、我使用的探头设置为10倍、但示波器不是！ 这可能是我看不到任何合理的原因。 修复后，我现在得到了我应该得到的正是我应该得到的，这个世界再次变得有意义：)！ 根据预期、Hirv 比 PH 高6V、而 Lodrv 比 GND 高6V。 请参见下面的。

最后一个问题：LoDrv 仅在充电周期结束时启用(大约2V？)。 从数据表中可以看出、这是由于 低于2V 电容器电压的非同步模式造成的。 为单个超级电容器充电时、这是大部分充电操作。 在非同步模式期间、低侧 MOSFET 的加热速度比高侧 MOSFET 的加热速度更快。 这是由体二极管中的能量损耗造成的吗？ 这可以得到缓解吗？ 我是否应该将体二极管与肖特基二极管并联？

只需再次检查：独立于同步或非同步运行、我应该希望充电器以所需的电流充电？ 即 、BQ 数据表中的图8 即使在低于2V 的超级电容器区域也有效？

以下读数：高驱动、PH、低驱动：

感谢 Ricardo 和 Kedar 迄今提供的所有帮助！

您是否想澄清以下问题： 独立于同步或非同步运行、我应该期望充电器以所需的电流充电？ 即 、BQ 数据表中的图8 即使在低于2V 的超级电容器区域也有效？

Kedar 我不确定您所指的是哪张桌子？

最好、Julian