[参考译文] LM25145：LM25145行为问题、需要调试帮助

您好、Nick、

很难看到原理图中的值。 请填写并发送 LM25145快速入门计算器文件(可从产品文件夹下载)。 这将帮助我们了解 Vin 范围、Fsw、补偿、功率损耗等

FB 电压应调节为0.8V。 此外、我建议将 Cout 增大到至少2 x 100uF。

此致、

Tim

感谢 Tim 的回复、

我根据要求填写了数据表：

e2e.ti.com/.../LM25145-Wide-Vin-Synchronous-Buck-Controller-Quickstart-Calculator-r12_2D00_7.zip

您好、Nick、

我无法打开该文件。 请重新发送并另存为 xlsm 文件。

TI 降低噪声、使输入电容器靠近 FET (请参阅应用手册 snva803)。 此外、VCC 和引导电容器应靠近其各自的引脚。如有需要、您可以使用 EVM 布局进行原型设计。

此致、

Tim

您好、Tim、

我的设计严格遵循 EVM 模型、因为我将其用于布局参考。 如果您查看版式图片、您可以在图片中看到相似之处。

有一个弹出窗口不允许我上传 xlsm 文件、因为它不在允许上传的文件列表中。 我不确定这是否是新功能、但 zip 是我唯一可以上传的文件。 您可以通过右键单击并解压缩文件来轻松解压缩文件。  

抱歉 Tim、

我在那里感到困惑了一分钟、没有意识到格式发生了变化。 我附上了我的 GND 平面的图片。 我没有直接连接 PGND、是否应该有直接连接？  

e2e.ti.com/.../LM25145-Wide-Vin-Synchronous-Buck-Controller-Quickstart-Calculator-r12_2D00_7-_2D00_XLS.zip

谢谢、

Nick

您好、Nick、

请参阅数据表中的第11.1.5节、其中详细介绍了将 PGND 引脚连接到 DAP 的接地平面设计。 此外、在 DAP 处应该有过孔用于散热。 目前、引脚12上有一个过孔-这是否绑定到内部 GND 平面？  

此外、确保 VCC 和 BOOT 电容器分别紧密连接到[VCC、PGND]和[BST、SW]引脚。

此致、

Tim

您好、Tim、

引脚12旁边的过孔连接到所有4个 GND 层、左侧的过孔也连接到所有4个 GND 层。 另一侧是低侧 MOSFET。  

在上图中、您还可以看到 CVCC 就在 PGND 旁边。  

在这张图片中、我连接了 RBST 和 CBST。 我通过多项式连接 SW。  

DAP 是否也连接到内部 GND 平面？ 可能在 DAP 上看不到过孔。 我们需要确保 AGND 和 PGND 已连接。

此致、

Tim

是的、DAP 是连接引脚5、9、12、15和16的顶部插值的一部分。 图片中的两个过孔最靠近 DAP、但附近有更多过孔。 我的所有 GND 过孔都连接到所有4个 GND 层。  

您好、Nick、

在 Vgs = 7.5V 时、低侧 FET 为35nC、因此栅极驱动电流为 Qg*fsw = 35nC*1MHz = 35mA。 高侧 FET 为7-8nC、因此再增加8mA。 这似乎很高、超过 了40mA 的最小 VCC 电流限制规格。

尝试将开关频率降低至500kHz、并使用更高的电感(即使在1MHz 下、025uH 也很低)。

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Tim

使用快速入门计算器并确定30-35%的纹波电流。

我已经订购了几个1uH 范围内的电感器。 我会在收到它们后向您进行更新、并对电路板进行更多测试。 谢谢你。