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[参考译文] UCC21750:AIN 端口、用于对 IGBT 结温进行采样(通过片上温度敏感二极管)

Guru**** 2782615 points

Other Parts Discussed in Thread: UCC21750

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/939481/ucc21750-ain-port-used-to-sample-igbt-junction-temperature-through-on-chip-temperature-sensitive-diode

器件型号:UCC21750

以下是我的问题:

1) 1) 主流 IGBT 片上温度敏感二极管采样的当前设计主要约为1mA、UCC21750的电流源大小 为200uA、无法满足采样要求。 为实现采样功能而设计此芯片的注意事项是什么?

2) 2)如果我想进行样片、如何改进电路以满足需求?

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    您好!

    欢迎使用 E2E!

    如果在线未提供、您是否能够分享您在此应用和/或数据表中使用的二极管。 我想看一下二极管和我们的驱动器、以提出最佳解决方案。

    此致、

    Andy Robles

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    您好!

    流经温度传感器二极管的电流典型值为1mA。

    下面是 应用中 Onsemi 800A DSC IGBT 模块的参数:

    拓扑如下所示:

    这是数据表:

    那么、您能否为我提供一个采用 UCC21750的解决方案、我也很好奇 UCC21750的电流源只有200uA。 为什么设计的电流在此 IC 中如此小、这是一款非常新的器件?

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    您好!

    我对数据表的要求是查看器件是否具有用于二极管的 IV 曲线、但我看不到该曲线。 不过、典型二极管的正向电压保持在0.5V-0.7V 左右。 在数据表中、1mA 时显示的值高于正向电压、这意味着在偏置电流为200uA 时、您将获得与1mA 时非常相似的结果。

    驱动器的电流源不仅用于偏置热性能、还用于使用温度检测电阻器进行温度检测。 至于消息来源仅为200uA 的原因、我将为您提供更多详细信息、并可在下周初回复您。

    如果有任何问题、请告诉我。

    此致、

    Andy Robles

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    明白。

    仍然有一个问题、在咨询供应商后、我得到的答复是、如果仅电流、二极管的压降偏差会大得多

    200uA、那么我想知道是否存在使用200uA 电流源的风险、或者是否有客户 对 我的产品有类似的问题? 我会的

    想了解有关源为什么为200uA 的一些详细信息。 希望很快收到您的回复。

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    您好!

    据我所知、我没有看到或听到其他客户有类似问题。 如前所述、我将于明天与系统团队中负责产品定义的人员会面、在此我将提出此主题、以了解来源为何为200uA、并检查团队中的其他人是否有任何疑虑。 我将于明天9月15日作出回应。

    此致、

    Andy Robles

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    您好!

    感谢您的耐心等待、同时我还获得了有关电流源值的更多信息。 较高的电流源值有利于偏置二极管的电流源、但会增加驱动器解决方案的功率耗散。 在考虑具有高功率耗散的应用时、选择了较低的电流源。

    我唯一能想到的工作是创建您自己的电流源以偏置二极管、但该解决方案可能会遇到一些可能影响可靠性的问题。 遗憾的是、没有其他经过测试的权变措施来增加来自栅极驱动器的此电流。

    此致、

    Andy Robles