Other Parts Discussed in Thread: UCC21750
以下是我的问题:
1) 1) 主流 IGBT 片上温度敏感二极管采样的当前设计主要约为1mA、UCC21750的电流源大小 为200uA、无法满足采样要求。 为实现采样功能而设计此芯片的注意事项是什么?
2) 2)如果我想进行样片、如何改进电路以满足需求?
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好!
我对数据表的要求是查看器件是否具有用于二极管的 IV 曲线、但我看不到该曲线。 不过、典型二极管的正向电压保持在0.5V-0.7V 左右。 在数据表中、1mA 时显示的值高于正向电压、这意味着在偏置电流为200uA 时、您将获得与1mA 时非常相似的结果。
驱动器的电流源不仅用于偏置热性能、还用于使用温度检测电阻器进行温度检测。 至于消息来源仅为200uA 的原因、我将为您提供更多详细信息、并可在下周初回复您。
如果有任何问题、请告诉我。
此致、
Andy Robles
您好!
感谢您的耐心等待、同时我还获得了有关电流源值的更多信息。 较高的电流源值有利于偏置二极管的电流源、但会增加驱动器解决方案的功率耗散。 在考虑具有高功率耗散的应用时、选择了较低的电流源。
我唯一能想到的工作是创建您自己的电流源以偏置二极管、但该解决方案可能会遇到一些可能影响可靠性的问题。 遗憾的是、没有其他经过测试的权变措施来增加来自栅极驱动器的此电流。
此致、
Andy Robles