[参考译文] BQ77905：使用高侧保护实现负载检测

您好、Shawn：

因此，LD 功能将通过 使用低值 LD 电阻器(160k 欧姆至375k 欧姆)在高侧保护下正常工作。

Tom

您好、Shawn：

我很感谢可能的电路补救措施、我将进一步调查。

Tom

您好、Shawn：

我`ve 了您上面显示的概念电路。  它似乎适用于下面所示的组件。  请查看我的信息、如果您发现我的选择有任何问题、请告诉我... 我愿意接受所有建议。 谢谢- Tom

以下是运行电路上的读数：

您好、Shawn：

感谢您的评论...
我`ve 了数据表中为 RLD 建议的值、发现了以下几点：

在第9页(显示 RLD_INT 值的典型范围)：
启用时的 RLD (INT) LD 输入电阻测量值为 VSS 160 250 375 kΩ

第34页(图26和表9)：
用于负载移除检测的 RLD LD 电阻器450 kΩ±5%

我没有找到任何其他 RLD 建议值、因此使用了450K 作为起点。  您建议的值应为 BQ77905xx 芯片的 RLD 内部值。  我是对的吗？

我想让这一议题暂时保持开放，以便提出更多的意见。

谢谢、
Tom